[发明专利]有电荷存储结构的液晶器件无效

专利信息
申请号: 87100746.0 申请日: 1987-02-16
公开(公告)号: CN1010057B 公开(公告)日: 1990-10-17
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G02F1/135 分类号: G02F1/135
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 肖掬昌
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电荷 存储 结构 液晶 器件
【权利要求书】:

1、一种液晶器件包括:

一块透明基片;

一块相对的基片;

一层液晶层;和

一电极装置;其特征在于:

所说液晶层由铁电液晶制成,其光学性质随其中所感应的电场而变化;

邻近于所说电极装置有一悬浮电极其间配置有一层绝缘体;以及

另一层位于所说悬浮电极和所说液晶层之间的绝缘层。

2、权利要求1的器件,其特征在于所说悬浮电极是由半导体制成的。

3、权利要求1的器件,其特征在于所说悬浮电极是由金属制成的。

4、权利要求1的器件,其特征在于所说悬浮电极是由金属化合物制成的。

5、权利要求4的器件,其特征在于所说悬浮电极是由金属硅化物制成的。

6、权利要求1的器件,其特征在于所说悬浮电极是由锗化合物制成的。

7、权利要求3的器件,其特征在于所说金属是从铂、钼、钽、铝、铟和锡所组成的集合中选出来的。

8、权利要求1的器件,其特征在于所说光学特征是透光性。

9、权利要求1的器件,其特征在于所说光学特性是吸收的各向异性。

10、权利要求1的器件,其特征在于所说悬浮电极是在所说电极装置和所说液晶层间放置的一层薄膜。

11、权利要求1的器件,其特征在于所说悬浮电极是一在所说电极装置和所说液晶层间放置的分子团。

12、权利要求1的器件,其特征在于所说绝缘体的电导要选择得使电荷只通过其中一层所说绝缘体而漂移进入所说悬浮电极。

13、权利要求2的器件,其特征在于所说半导体区是由硅半导体制成的。

14、权利要求2的器件,其特征在于所说半导体区是由锗半导体制成的。

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