[其他]半导体的光致核嬗变掺杂

权利要求书

1、一种生产具有给定电导率特性的半导体材料的工艺，其特征包括用高能光子处理一批半导体材料，使其电导特性与某一规格相符的操作，从而经半导体材料本体原子中的光致核反应后，在半导体材料本体内制造出能将所需导电率特性赋予半导体材料的元素原子，以及当达到电导率的给定值时，就中止辐射。

2、实现制造具有给定电导率特性的半导体材料工艺的一装置，其特征在于包括产生高能粒子束的装置，一个适于产生韧致辐射的靶，当所说的高能粒子入射到靶上时，辐射的光子具有一预定能量，还包括在靶的表面上，扫描高能粒子的装置，以及在将一批待辐射的半导体材料固定到能接收韧致辐射的位置的装置。

3、根据权利要求1的工艺，其特征在于高能光子是以韧致辐射的形式出现。

4、根据权利要求1或3的工艺，其特征在于半导体材料是硅，及光子能量在11.6Mev到22.5Mev范围内，以便在借助于光致核反应²⁸Si（γ，P）²⁷Al时在硅内产生铝受主杂质。

5、根据权利要求1或3的工艺，其特征在于半导体材料是硅，而且光子具有能量，在借助于光致核反应²⁸Si（γ，n）²⁷Si继之以²⁷Si到²⁷Al的4.25β⁺衰变时，能在硅内产生铝受主杂质。

6、根据权利要求1或3的工艺，其特征在于半导体材料是金钢石，而且光子具有像引起光致核反应¹²C（γ，P）¹¹B那样的能量。

7、根据权利要求1或3的工艺，其特征在于半导体材料是金钢石，而且光子具像引起光致核反应¹²C（γ，n） (β⁺)/()¹¹B那样的能量。

8、根据权利要求2的装置，其特征在于产生高能粒子束的装置包括一电子加速器。

9、根据权利要求2或7的装置，其特征在于在靶上扫描高能粒子束的装置包括一电磁铁系统。

10、根据权利要求2.7或8的装置，其特征在于包括防止高能粒子直接辐射到半导体材料本体上的装置。