[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 87100973.0 | 申请日： | 1987-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1007678B | 公开（公告）日： | 1990-04-18 |
| 发明（设计）人： | 辻井胜己 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,肖掬昌 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种半导体器件的制造方法，是采用在半导体基片上设置由铝或铝合金所形成的电极或键合片的半导体器件的制造方法，其特征在于所述的半导体基片上进行铝或铝合金的淀积后，在经热处理工序和光刻形成图形之前，将上述由铝或铝合金所形成的电极或键合片表面，用蚀刻液进行蚀刻，使之成为均匀的粗糙表面。
2、根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于所用的蚀刻液是氢氟酸或氟化铵的水溶液，或为上述两种的混合液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普公司，未经夏普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/87100973.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
