[发明专利]非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法

权利要求书

1、一种用激光-化学腐蚀刻蚀a-Si太阳电池背电极的方法，其特征在于：

A.预制备防腐液及腐蚀液;

B.涂敷防腐层：在室温，相对湿度≤80%条件下，将防腐液均匀涂敷在蒸涂好金属电极的样品上，并干燥;

C.激光刻蚀防腐层：用Nd⁺-yAG激光器刻蚀防腐层，条件：用1.06微米波长的激光，调Q频率1-10千赫，扫描速度5-160毫米/秒，电源电压235-255伏，电源11-20安;

D.化学腐蚀背电极：将激光刻蚀好的样品，放入25-40℃腐蚀液中，至背电极完全腐蚀干净;

E.将化学腐蚀过的样品，浸入有机溶剂中，至完全除去防腐层。

2、根据权利要求1的激光-化学腐蚀刻蚀a-Si太阳电池背电极的方法，其特征在于：预制备溶液的配制条件是：

A.防腐液：10克沥青，虫胶、蜂蜡各1克溶解于100毫升有机溶剂中，放置24小时，过80目筛;

B.腐蚀液：氢氧化钠1-3克，高锰酸钾5-15克，溶解于100-300毫升去离子水中70℃，至全溶。

3、根据权利要求2的方法，其特征在于所述的配制防腐液的有机溶剂是苯，甲苯，松节油。

4、根据权利要求1的方法，其特征在于涂敷防腐层的厚度是0.5-3微米。

5、根据权利要求1的方法，其特征在于除去防腐层的有机溶剂是苯，甲苯，石油醚。