[其他]互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管

权利要求书

1、一种互补绝缘体外延硅(SOI)横向绝缘栅整流器(LIGR)，其特征在于：

-一个基本上绝缘的具有一个主表面的基片，

-一个在所述主表面上的单晶硅层、所述层包括多个相邻的共面掺杂层区，

-含有具有第一类和相反的第二类导电性的各区并且构成所述互补LIGR的第一漏区的第一层区，

-具有所述第一类导电性的、与所述第一层区接触并包括所述互补LIGR的第一漂移区的第二层区，

-具有所述第二类导电性的、与所述第二层区接触并包括所述互补LIGR的第一沟道区的第三层区，

-含有具有所述第一类和第二类导电性的各区的、与所述第三层区接触并构成所述互补LIGR的公共源区的第四层区，

-具有所述第一类导电性的、与所述第四层区接触并包括所述互补LIGR的第二沟道区的第五层区，

-具有所述第二类导电性的、与所述第五层区接触并包括所述互补LIGR的第二漂移区的第六层区，

-含有具有所述第一类和第二类导电性的各区的、与所述第六层区接触并构成所述互补LIGR的第二漏区的第七层区，

-在所述单晶硅层的各层区上面并至少复盖所述第三和第五层区的绝缘层，

-在所述绝缘层上面并且分别在所述第三和第五层区上方的第一和第二栅极，

-与所述第四层区连接的源极，以及

-分别与所述第一和第七层区连接的第一和第二漏极。

2、如权利要求1中的互补SOI  LIGR，其特征在于：

-所述第一层区正少包括一个具有所述第一类导电性的区，该区的两侧都有具有所述第二类导电性的各区，所述第一层区的各区中的每一区沿横向延伸以便与所述第二层区接触，

-所述第七层区至少包括一个具有所述第二类导电性的区，该区的两侧都有具有所述第一类导电性的区，所述第七层区的各区中的每一区沿横向延伸以便与第六层区接触，以及

-所述第四层区至少包括一个具有所述第一导电性的区和一个具有所述第二导电性的区，所述第四层区的各区中的每一区沿横向从所述第三层区延伸到所述第五层区。