[发明专利]制造阴极射线管的方法

说明书

本发明涉及一种制造阴极射线管的方法，更具体地说，涉及到在阴极射线管屏盘外表面上形成一层有着防反射和抗静电特性的薄膜的方法。

为了减小外光在阴极射线管屏盘外表面上的反射，通常使用各种防眩处理，从而减小了反射光的有害影响。这些防眩处理中的一种是把含Si的醇化物即Si（OR）₄的酒精溶液喷涂在屏盘的外表面上，从而在外表面上形成无数个细微的凸起物。

日本专利公开No.61-118932公开了一种实际的防眩处理方式，其中，把喷涂在屏盘外表面上的Si（OR）₄的酒精溶液在150℃或更低的温度下烧结，从而使薄膜有着抗静电性能。因为烧结温度相对来说较低，薄膜粘附到屏盘上的粘附力会减小。为了防止粘附力的这种减小，在酒精溶液中加入了NHO₃。上述由Si（OR）₄的酒精溶液来形成薄膜的防眩处理是按下面的方式进行的。

（1）水解（产生硅醇族）

（2）硅醇族的缩合（产生硅氧烷键）

在上述反应中，硅醇族使薄膜有抗静电特性，而硅氧烷粘合剂用来增强薄膜附于屏盘上的粘附力。当加热薄膜时，加速了反应（2）。

只要适当地加热薄膜，硅醇族就残留在薄膜中，薄膜就有足够高的抗静电性能。然而，在这种情况下，因为薄膜中硅氧烷键的数量小，薄膜附于屏盘上的粘附力不够大。另一方面，当薄膜过热时，它又不能得到适当的抗静电特性。虽然酸（比如HNO₃）能使反应（1）加速，从而减小了使被覆的薄膜达最高粘合强度所需的老化时间，但并不能使薄膜的粘合力得到足够的增大。

本发明的一个目的是提供一种制造阴极射线管的方法，在此阴极射线管中，在屏盘上形成有着足够抗静电效果并且牢固地附于屏盘上的防反射薄膜。

根据本发明，提供了一种阴极射线管制造方法，该方法的步骤包括在阴极射线管屏盘上被覆含有聚烷基硅氧烷的溶液（聚烷基硅氧烷是把硅酸烷基酯在二聚物到六聚物的平均范围内进行缩合而得到的）;缩合聚烷基硅氧烷，从而在屏盘上形成SiO₂薄膜。

聚烷基硅氧烷是由两个或多个硅酸烷基酯单体缩合而成的，这些单体以下式表示：

式中R是烷基族（甲基、乙基、丙基和丁基）而n＝0、1、2、3……

由于以下的理由使用了在二聚物到六聚物的平均范围内缩合硅酸烷基酯而得到的聚烷基硅氧烷。当硅酸烷基酯缩合到一定程度时，比如说二聚物到六聚物的范围内时，薄膜的强度比含有非缩合硅酸烷基酯单体的聚烷基硅氧烷的强度要高，这从下面要描述的图1和图2中可明显看出。当硅酸烷基酯缩合成六聚体或更高时，所得的产物变得易于胶凝，因而是不实用的。

低缩合物不能象在聚合物的情况下那样仅包含相同类型的齐分子量聚合物。低缩合物通常包含有着不同分子量的硅酸烷基酯。即使混合了有着不同分子量的从二聚物到六聚物的硅酸烷基酯，仍然能够达到本发明的效果。

为了加速水解，作为含有聚烷基硅氧烷溶液的主要成分，使用了加有酸或碱和水的酒精溶液，比如通常的醇化物溶液。

使用甲基、乙基、丙基或丁基族作为聚烷基硅氧烷中的烷基族。然而，为了易于水解，最好使用甲基或乙基族。

使用喷涂、分散（dispensing）或浸涂，来把聚烷基硅氧烷溶液被覆在阴极射线管的屏盘表面上。烧结情况随烧结时间和温度而变。在大约100℃的温度下，烧结时间可以是10分到15分钟;在大约200℃的温度下为5到10分钟;而在300℃到400℃的温度下为5分钟或更少。在某些情况下，如果允许有大约为一周的老化时间（即如果被覆的屏盘能暴露于空气中大约一周），则烧结实际上是不需要的。