[其他]用在电子摄影术中的光接收元件无效
申请号: | 87101639 | 申请日: | 1987-03-03 |
公开(公告)号: | CN87101639A | 公开(公告)日: | 1987-11-25 |
发明(设计)人: | 白井茂;斉藤惠志;新井孝至;加藤富;藤冈靖 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/08 | 分类号: | G03G5/08;G03G5/04;G03G5/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 赵越 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 摄影术 中的 接收 元件 | ||
本发明涉及一种用在电子摄影术中的改进的光接收元件,该元件对电磁波敏感如光(这里,从广义上意指那些例如紫外光、可见光线、红外光、X-射线及γ射线)
构成用在电子摄影术中的光接收元件的光接收层的光电导材料需要有高度的光敏性,具有高信噪比〔光电流(Ip)/暗电流(Id)〕、具有与要辐射的电磁波的光谱特性相适应的吸收光谱特性、具有快速响应性及具有所需的暗电阻。所述材料在使用时还需对人及生物无害。
尤其在光接收元件使用于办公室中应用的电子摄影机的情况下,不引起污染是实为重要的。
从这些立足点出发,公众的注意力便集中到由含有硅原子的非晶材料(以下称作“a-si”)构成的光接收元件上,例如,在公开方案刊物(Offenlegungsschriftes)第2746967号和第2855718号中所公开的那样,把光接收元件作为电子摄影术中的成象元件。
至于由a-si材料构成的常规光接收元件,在其光、电和光电导特性方面已得到改进,例如暗电阻、光敏性、光响应性、应用环境特性、经济稳定性和耐用特性。
尽管如此,为了使这种光接收元件可实际应用,在综合情况下,仍还有对其特性作进一步改进的遗留问题。
例如,在针对于提高光敏性和暗电阻时把这种常规光接收元件用于电子摄影术中的光接收元件的情况下,在使用过程中常在常规光接收元件上观察到剩残电压,而且在长期重复使用时,由于重复使用而导致的疲劳会累积起来以使得抬致残余图象出现的所谓的重象现象发生。
而且,在利用a-si材料制备用在电子摄影术中的常规光接收元件的光接收层的过程中,要把氢原子、氟原子或氯原子这样的卤素原子、用于控制导电类型的元素(如硼原子或磷原子)、或其它种用于改进多种特性的原子有选择地掺入光接收层中。
但是,根据上述有用成分的掺入方法所得的光接收层有时在电特性、光电导特性和/或击穿电压方面具有不足之处。
即,在使用具有这种光收层的光接收元件时,光辐照在层中所产生的光载流子的寿命不够长,对来自暗层区中基底侧的电荷注入不能进行足够的阻止,而且,由于局部击穿现象而可能引起的象缺陷,即所谓的“半光度副本上的白椭圆斑点”或由于用叶片进行清除时的磨损而可触引起的其它象缺陷(所谓的“白线”)易于出现在纸张上的传送图象上。
此外,当上述光接收元件用在很潮湿的环境中时,或是在置于该环境之后的使用情况下,所谓的“图象流动”有时便出现在纸张上的传送图象上。
因此,不仅需要对a-si材料本身作进一步改进,而且也需要制成一种不会招致上述任何问题的光接收元件。
本发明的目的是提供一种用在电子摄影术中的光接收元件,该元件具有一层无上述问题且能够满足电子摄影术中各种要求的光接收层。
也就是,本发明的主要目的是提供一种用在电子摄影术中的光接收元件,该元件具有一光接收层,该光接收层由一层a-si形成的层和一层含硅原子的多晶硅材料(以下称作为“多晶-si”)形成的层构成,所述光接收层的电、光和光电导特性总是充分地稳定而几乎不取决于工作环境,而抗光疲劳性非常优良,在重复使用时不引起特性退化,耐用性及抗湿性优良,而且又不显出或几乎不显出残余电压。
本发明的另一目的是提供一种用在电子摄影术中的光接收元件,该元件具有一层光接收层,该光接收层由一层a-si形成的层和一层多晶-si形成的层构成,它与设置该层的基底或在叠层之间具有紧紧的粘结能力,从结构布置的观点看,致密性和稳定性优良,且具有较高质量。
本发明的再一目的是提供一种用在电子摄影术中的光接收元件,该元件具有一层光接收层,该光接收层由一层a-si形成的层和一层多晶-si形成的层构成,所述光接收层在形成静电潜象的充电过程中显示出足够的维持电荷功能,在被应用于电子摄影法时显示出优良的电子摄影特性。
本发明的再一目的是提供一种用在电子摄影术中的光接收元件,该元件具有一层光接收层,该光接收层由一层a-si形成的层和一层多晶-si形成的层构成,所述光接收层在长期重复使用中,在纸张的可见象上既不会招致象缺陷,也不会招致图象流动,并且可提供具有高致密性及高质量的更清晰的半光度的高度清晰可见图象。
本发明的其它目的是提供一种用在电子摄影术中的光接收元件,该元件具有一层光接收层,该光接收层由一层a-si形成的层和一层多晶-si形成的层构成,所述光接收层具有高光敏性、高信噪比和耐高电压特性。
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