[其他]制备自撑式材料的方法以及用其制造的产品

权利要求书

1、一种制造自撑式材料的方法，它包括：(a)选择一种母体金属，(b)在基本惰性的气氛下将所说的母体金属加热到高于其熔点的温度，以形成熔融金属体，并使所说的熔融母体金属与包含硼源的块状物体接触，(c)在所说的温度下保温足够的时间，以使熔融母体金属向所说的块状物渗透并使熔融母体金属与所说的硼源反应，以形成母体金属的硼化物，(d)使所说的渗透和反应持续足够的时间，形成的自撑式材料由金属相和母体金属硼化物组成。

2、根据权利要求1的方法，包括将所说的硼源与惰性填料掺混以形成所说的块状物，向所说的制成的埋入所说的填料的块状的物进行所说的渗透和反应，和制造一种自撑式形式的复合材料，该自撑式材料具有埋入所说填料的基体，而所说的基体包括金属相和母体金属硼化物。

3、根据权利要求1或2的方法，其中所述的硼源的量至少是化学计算量，所说渗透和反应持续足够的时间，以基本消耗全部所说的母体金属。

4、根据权利要求3的方法，其中所说的渗透和反应持续足够的时间以制造一种多孔体。

5、根据权利要求1，2或3的方法，其中所述母体金属选自铝、钛、锆、硅、铪、镧、铁、钙、钒、铌、镁和铍。

6、根据上述任一项权利要求所述的方法，其中所述母体金属是铝，所述硼源是单质硼，所说的自撑式材料包括铝和硼化铝。

7、根据权利要求1的方法，其中所说的块状物包括所说的低密度的硼源，借此形成一种自撑式材料，其性质由所述金属相的性质控制。

8、根据权利要求2的方法，其中所说的块状物包括所说的低密度硼源，该硼源在所说填料的各组分之间的空隙中，借此得到的所说的基体显示了由所说的金属相提供的性质。

9、根据权利要求7或8中所说的任一种方法，其中所说的硼源是单质硼。

10、根据权利要求1的方法，其中所说的块状物包括所说的高密度硼源，借此形成一种自撑式材料，它的性质由所说的母体金属硼化物控制。

11、根据权利要求2的方法，其中所说的物体包括所说的高密度硼源，该硼源在所述填料各组分之间的空隙中，借此得到的所说的基体的性质由所述金属硼化物控制。

12、根据权利要求10或11的方法，其中所述的硼源是单质硼。

13、根据权利要求2或6的方法，其中所说的块状物体包括至少约50%（重量）的硼源;所说的母体金属硼化物至少在一维牢固地互连。

14、根据前述任一项权利要求的方法，其中所说的物体包括可以被所说的母体金属还原的金属硼化物，所说的金属相包括从所说的金属硼化物得到的金属。

15、根据权利要求14的方法，其中所说的母体金属是钛，所说的可还原的金属硼化物是十二硼铝。