[发明专利]控制棒

权利要求书

1、在包堆芯、用于控制所说堆芯的反应能力的控制棒、以及设置在所述堆芯下方以把所述控制棒插入所述堆芯的原子反应堆中的插入装置，每个所述控制棒包中子吸收区，该中子吸收区中包含有由吸收核链型中子吸收剂制成的中子吸收器，该吸收核链型中子吸收剂是这样的中子吸收剂，其中进一步吸收中子的核素为中子吸收反应形成的核素或蜕变核素，且这类吸收剂的中子吸收作用的衰减速度较低，和用以支承所述中子吸收器的支承装置，其特征在于：

a）所述中子吸收区沿轴向被分成上、下两区，所述上和下区包含有相同的中子吸收剂，且所述控制棒由所述插入装置从所述上中子吸收区插入所述堆芯，

b）所述上、下两区的边界位于沿轴向距所述中子吸收区下端为所述中子吸收区全长的3/8到5/8的范围内，

c）所述吸收核链型中子吸收剂的量在所述上和下区的所述边界处变化且在所说下区中垂直于轴向的截面内所含的所述吸收核链型中子吸收剂的量小于在所述上区中垂直于轴向的截面内所含的所述吸收核链型中子吸收剂的量。

2、权利要求1的控制棒，其特征在于所述吸收核链型中子吸收剂在所述上区和所述下区的大部分沿轴向基本均匀一致。

3、权利要求1的控制棒，其特征在于所述中子吸收器为轴向延伸的一块所述吸收核链型中子吸收剂制成的板，设置在所述上区中的所述板的上部分横截面积大于所述下区中的该板的下部分的横截面积。

4、由权利要求1所确定的控制棒，其特征在于所述中子吸收器为所述吸收核链型中子吸收剂制成的棒，各所述吸收核链型中子吸收剂棒均包在所述上区中的上部分和在所述下区中的直径小于所述上部分的下部分。

5、由权利要求1所确定的控制棒，其特征在于所述吸收核链型中子吸收剂为从Hf，Ta，Ag-In-Cd合金和Eu₂O₃中选出的一种。

6、一种具有若干叶片，从下方插入反应堆芯的控制棒，以及多个由一种吸收核链型中子吸收剂构成的，并排列在所述叶片中的中子吸收棒的，其特征在于：

（a）所述中子吸收棒在轴向上被分为上、下两区;

（b）所述上、下两区的边界位于从所述中子吸收棒的下端起，所述中子吸收棒全长的3/8到5/8的范围内，

（c）所述中子吸收棒的所述下区的横截面积小于所述上区的横截面积。

7、由权利要求6所确定的控制棒，其中所述中子吸收棒的所述上区与下区的横截面都为园形，所述上区和下区同轴。

8、由权利要求6所确定的控制棒，其中所述中子吸收棒沿轴向的粗细在所述上区和下区的大部分基本上均匀一致。

9、由权利要求6所确定的控制棒，其中吸收核链型中子吸收剂为Hf，Ta，Ag-In-Cd合金或Eu₂O₃。

10、一种控制棒，它包括：

一个中子吸收区，其中装有多个由一种吸收核链型中子吸收剂构成的中子吸收器。

多个装有围绕所述中子吸收区并从下方插入反应堆芯的屏蔽套的叶片，

安装在所述中子吸收器上的凹孔或贯通孔中和每个所述屏蔽套的相对侧壁之间，并固定在所述侧壁上的屏蔽套变形保护装置;

所述控制棒的特征在于：

（a）所述中子吸收区沿轴向分为上、下两区，

（b）所述上、下两区的边界位于沿轴向从所述中子吸收区下端算起，中子吸收区全长的3/8到5/8范围内，

（c）在所述下区中，垂直于轴的截面内的所述吸收核链型中子吸收剂的含量小于在所述上区中，垂直中轴的截面内的所述吸收核链型中子吸收剂的含量。

11、由权利要求10所确定的控制棒，其中所述吸收核链型中子吸收剂是从Hf，Ta，Ag-In-Cd合金，和Eu₂O₃中选出的一种。