[其他]控制棒

权利要求书

1、一种包括中子吸收区和支承装置的控制棒，在中子吸收区中设置有用吸收核链型中子吸收剂制成，并从下方装入反应堆芯的中子吸收器，支承装置用以支承所述中子吸收器，其特征在于：

所述中子吸收区沿轴向被分为上，下两区；

所述上、下两区的边界位于沿轴向距所述中子吸收区下端为所述中子吸收区全长的3/8到5/8的范围内；

在所述下区中垂直于轴向的截面内所含的所述吸收核链型中子吸收剂的量小于在所述上区中垂直于轴向的截面内所含的所述吸收核链型中子吸收剂的量。

2、权利要求1的控制棒，其中所述吸收核链型中子吸收剂在所述上区和所述干区的大部分沿轴向基本均匀一致。

3、权利要求1的控制棒，其中所述中子吸收器为轴向延伸的一块所述吸收核链型中子吸收剂制成的板。

4、由权利要求1所确定的控制棒，其中所述中子吸收器为所述吸收核链型中子吸收剂制成的棒，所述吸收核链型中子吸收剂棒安装在所述中子吸收区中。

5、由权利要求1所确定的控制棒，其中所述吸收核链型中子吸收剂为Hf，Ta，Ag-In-Cd合金，Eu₂O₃或2O₃。

6、一种具有若干叶片，从下方插入反应堆芯的控制棒，以及多个由一种吸收核链型中子吸收剂构成的，并排列在所述叶片中的中子吸收棒，其特点表现为：

所述中子吸收棒在轴向上被分为上、下两区;

所述上、下两区的边界位于从所述中子吸收棒的下端起，所述中子吸收棒全长的3/8到5/8的范围内;

所述中子吸收棒在所述下区比在所述上区细。

7、由权利要求6所确定的控制棒，其中所述中子吸收棒的所述上区与下区的横截面都为园形，所述上区和下区同轴。

8、由权利要求6所确定的控制棒，其中所述中子吸收棒沿轴向的粗细在所述上区和下区的大部分基本上均匀一致。

9、由权利要求6所确定的控制棒，其中吸收核链型中子吸收剂为Hf，Ta，Ag-In-Cd合金，Eu₂O₃或2O₃。

10、一种控制棒，它包括：

一个中子吸收区，其中装有多个由一种吸收核链型中子吸收剂构成的中子吸收器，

多个装有围绕所述中子吸收区并从下方插入反应堆芯的屏蔽套的叶片;

安装在所述中子吸收器上的凹孔或贯通孔中和每个所述屏蔽套的相对侧壁之间，并固定在所述侧壁上的屏蔽套变形保护装置;

所述控制棒特点在于：

所述中子吸收区沿轴向分为上、下两区。

所述上，下两区的边界位于沿轴向从所述中子吸收区下端算起，中子吸收区全长的3/8到5/8范围内;

在所述下区中，垂直于轴的截面内的所述吸收核链型中子吸收剂的含量小于在所述上区中，垂直中轴的截面内的所述吸收核链型中子吸收剂的含量。

11、由权利要求10所确定的控制棒，其中所述吸收核链型中子吸收剂是Hf，Ta，Ag-In-Cd合金，Eu₂O₂或2O₃。

12、一种具有若干叶片的控制棒，叶片从下方插入反应堆芯，并装有若干由吸收核链型中子吸收剂制成的中子吸收棒和围绕所述中子吸收棒的屏蔽套;其特征在于：

各所述中子吸收棒都沿轴向被分为上，下两区。

所述上，下两区的边界位于从所述中子吸收棒的下端起，所述中子吸收棒全长的3/8到5/8范围内;

所述中子吸收棒的所述下区比所述的区细;

它插在所述中子吸收棒的所述上区中的凹槽或贯通孔中和所述屏蔽套两相对侧壁之间并分别固定在所述侧壁上的第一屏蔽套变形保护装置;

第二屏蔽套变形保护装置，它安装在两相邻中子吸收棒的下区间隙处，位于所述屏蔽套的所述相对侧壁之间并分别固定在所述屏蔽套的所述侧壁上。

13、由权利要求12所确定的控制棒，其中所述中子吸收棒轴向上的粗细在所述上区和下区的大部分分别是基本上均匀一致的。