[其他]制造半导体单晶装置

权利要求书

1、一种制造半导体单晶用的装置，制造单晶时是将半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制造出半导体单晶棒条，该装置的特征在于，它至少包括一长条半导体原材料加热装置、支撑装置和表面镇静装置；加热装置用以加热所述原材料体以便在料体下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将所述料体支撑在所述熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的所述凝固部分。

2、如权利要求1所提出的制造半导体单晶用的装置，其特征在于，所述加热装置包括一个围绕着所述原材料体的高频感应线圈。

3、如权利要求1所提出的制造半导体单晶用的装置，其特征在于，所述半导体为硅。

4、如权利要求1所提出的制造半导体单晶用的装置，其特征在于，所述支撑装置包括在所述加热装置加热和熔化料体下端时转动所述原材料用的装置。

5、如权利要求1所提出的制造半导体单晶用的装置，其特征在于，该装置还包括一个闸阀用以隔离原材料体与熔融池。

6、如权利要求1所提出的制造半导体单晶用的装置，其特征在于，所述表面镇静装置包括一个环形护圈，该环形护圈配置在所述池中环包着池表面中心部分，晶体棒条即从该部分中提拉。

7、如权利要求1所提出的制造半导体单晶用的装置，其特征在于，所述表面镇静装置包括一个漏斗形护圈，该护圈配置在所述池中，正好在所述料体的正下方，用以接收料体滴来的料滴。