[其他]电子照相用的光接收元件无效
申请号: | 87102172 | 申请日: | 1987-01-23 |
公开(公告)号: | CN87102172A | 公开(公告)日: | 1987-11-11 |
发明(设计)人: | 白井茂;齐藤惠志;新井孝;加藤富;藤冈靖 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/08 | 分类号: | G03G5/08;G03G5/02;G03G5/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 李强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 接收 元件 | ||
1、一种用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:该元件包括一个复印用的基体,一个由电荷注入阻挡层、光导层和表面层所组成的光接收层,其中
--电荷注入阻挡层是由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和另一种控制导电率的元素所组成,
--光导层是由硅原子作为主要成分的非晶态材料和至少一种选自氢和卤素的原子一起组成,
--表面层是由含硅、碳、氢原子非晶态材料所组成,其中氢原子的原子含量在(41-70)%范围之内。
2、一种如权利要求1中所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:光导层中至少含有一种选自氧和氮的原子。
3、一种如权利要求1或2所述的用于电子照相技术中光接收元件,其特征是:其电荷注入阻挡层中至少含有一种选自氮、氧、碳的原子。
4、一种如权利要求1至3中的一项所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:电荷注入阻挡层中含有的控制电导率的元素在基体一侧有较高的含量。
5、一种如权利要求3或4所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:其电荷注入阻挡层中含有的至少一种选自氮、氧、碳的原子在靠近基体的层区中有较高的含量。
6、一种如权利要求3至5中之一项所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:其电荷注入阻挡层中所含有的选自氮、氧、碳的原子只存在于邻近基体的层区中。
7、一种如权利要求1至6中之一项所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:其长波光吸收层是由含硅原子和锗原子的非晶态材料沉积在基体和电荷注入阻挡层之间而成的。
8、一种如权利要求7所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:其长波光吸收层中含有一种选自氮、氧、碳原子的元素以控制其电导率。
9、一种如权利要求1,4或8所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:其中用于控制电导率的元素是周期表第Ⅲ族中的一种原子。
10、一种如权利要求1、4或8所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:其中用于控制电导率的元素是周期表第Ⅴ族中的一种原子。
11、一种如权利要求1至10中之一项所述的用于电子照相技术中的光接收元件,其特征是:其接触层是由含硅原子的非晶态材料和至少一种选自氮、氧、碳的原子沉积在基体和长波光吸收层之间、或基体和电荷注入阻挡层之间而成的。
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