[发明专利]用于电子照相的光接收元件无效
申请号: | 87102296.6 | 申请日: | 1987-02-05 |
公开(公告)号: | CN1012593B | 公开(公告)日: | 1991-05-08 |
发明(设计)人: | 白井茂;齐藤惠志;新井孝至;加藤实;藤冈靖 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/08 | 分类号: | G03G5/08;G03G5/147 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 照相 接收 元件 | ||
1、一种用于电子照相的光接收元件,其特征是它由一个基底和置于基底上的光接收层构成,光接收层由显示光电导性的光电导层和一个表面层构成,光电导层由一种在硅原子基质中包含氢原子和卤素原子之中至少一种原子组分的非结晶材料构成,表面层由包含硅原子,碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成,其特征在于,所述表面层中元素组分的分布密度沿层的厚度方向是变化的,以便在与上述光电导层的界面上获得光学带隙的匹配,而在所述表面层中氢原子的最大分布密度为41-70原子%。
2、按照权利要求1的光接收元件,其特征是其中所述表面层中组分的分布区存在于靠近基底一侧的表面层中。
3、按照权利要求1的光接收元件,其特征是在所述表面层中组分的分布区覆盖了所述表面层的整个区域。
4、按照权利要求2或3的光接收元件,其特征是所述表面层在组分分布区中包含碳原子,其分布状态为密集于靠近表面一侧。
5、按照权利要求1-4的光接收元件,其特征是所述表面层在元素组分分布区中包含氢原子,其分布状态为密集于靠近表面一侧。
6、按照权利要求1-5的光接收元件,其特征是所述光电导层包含氧原子和氮原子之中至少一种。
7、按照权利要求1的光接收元件,其特征是进一步还包含一个电荷注入阻挡层,它包含了在硅原子阵列中用于控制导电性的物质,它作为所述光接收层的一个分层。
8、按照权利要求7的光接收元件,其特征是其中电荷注入阻挡层是非结晶态的。
9、按照权利要求7的光接收元件,其特征是所述电荷注入阻挡层是多晶态的。
10、按照权利要求7的光接收元件,其特征是在表面层中的组分分布区存在于靠近基底一侧。
11、按照权利要求7的光接收元件,其特征是在表面层中的组分分布区覆盖了整个表面层区域。
12、按照权利要求10和11的光接收元件,其特征是所述表面层在元素组分的分布区中包含碳原子,其分布状态为密集于表面一侧。
13、按照权利要求7和10-12的光接收元件,其特征是所述表面层在元素组分的分布区中包含氢原子,其分布状态为密集于靠近表面一侧。
14、按照权利要求7和10-13的光接收元件,其特征是所述光电导层包含氧原子和氮原子之中至少一种原子。
15、按照权利要求7-9的光接收元件,其特征是电荷注入阻挡层包含氧原子、碳原子和氮原子之中至少一种原子。
16、按照权利要求7-15的光接收元件,其特征是电荷注入阻挡层含有用于控制导电性的物质,其分布状态为密集于基底一侧。
17、按照权利要求15的光接收元件,其特征是,电荷注入阻挡层包含氧原子、碳原子和氮原子之中至少一种原子,其分布状态为密集于基底一侧。
18、按照权利要求15的光接收元件,其特征是,含于电荷注入阻挡层中的氧原子,碳原子和/或氮原子存在于靠近基底一侧。
19、按照权利要求1的光接收元件,其特征是还具有一个对长波光线敏感的长波吸收层,长波吸收层作为所述光接收层的一个分层,含有硅原子和锗原子。
20、按照权利要求19的光接收元件,其特征是其中的长波吸收层是非结晶态的。
21、按照权利要求19的光接收元件,其特征是其中长波吸收层是多晶态的。
22、按照权利要求19的光接收元件,其特征是,在表面层中组分的分布区存在于靠近基底一侧的表面层中。
23、按照权利要求19的光接收元件,其特征是,在表面层中组分的分布区覆盖了整个表面层区域。
24、按照权利要求22或23的光接收元件,其特征在于所述的表面层在元素组分的分布区中包含碳原子,其分布状态为密集于靠近表面一侧。
25、按照权利要求19和22-24的光接收元件,其特征在于,所述的表面层在元素组分的分布区中包含氢原子,其分布状态为密集于靠近表面一侧。
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