[其他]含硅量为2-22重量百分之百的硅铝合金的制备方法无效

专利信息
申请号: 87102446 申请日: 1987-04-01
公开(公告)号: CN87102446A 公开(公告)日: 1988-10-12
发明(设计)人: 维克多·西门诺维奇·舒斯特洛夫;瓦迪姆·彼得罗维奇·伊夫陈科夫;弗拉迪米尔·安那托利维奇·格尔布诺夫;安那托利·尼古拉维奇·马兰基克;弗拉迪米尔·尼古拉维奇·西宁;埃拉那·列尼多夫娜·卢基娜;弗拉迪米尔·夫拉迪米;罗维奇·夫尔科夫;弗多尔·康斯坦丁;诺维奇·台普利亚科夫 申请(专利权)人: 全苏铝镁;电极工业科学研究设计院
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C21/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 唐跃,俞辉君
地址: 苏联列*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 含硅量 22 重量 百分之百 铝合金 制备 方法
【说明书】:

发明属于有色金属与合金属的冶炼领域,更确切些说,是关于制取含硅量为2-22重量%的硅铝合金的方法问题。该合金可用于制造汽车工业、拖拉机工业中所需的异形铸件,并用于日用品的生产。

制取含硅量为2-22重量%的硅铝合金的已知方法包括下述步骤:将铝矾土和硅单独进行粉碎。按计算量,将下述组份,即含碳的材料和经过粉碎的铝矾土及硅,配成炉料。然后把炉料做成团块,并放入还原矿石用的电炉中。炉料经过还原作用,变成了初级硅铝合金。下一步是对此粗制合金进行精炼提纯,除掉其中的非金属夹杂物。最后加工成用做结构材料的硅铝合金[I.A.Troitsky,V.A.Zheleznov合著的《铝的冶炼》,发表于1977年,苏联“冶金出版社”(莫斯科)出版,第368-375页]。

此法的缺点是硅的吸收程度(the    degree    of    assimilation    of    silicon)低,合金中非金属夹杂物的含量较高,所以制得的合金质量不高。使用此法时,生成的炉渣很多,并因此消耗掉大量热能(高达10%)。该法的工序多,能量消耗量很大。

制取含硅量为2-22重量%的硅铝合金的另一已知方法包括如下步骤:先把经过粉碎的晶体硅分选成粒径为20-50毫米的筛份和粒径为0.3-1.0毫米的另一筛份,取前一筛份留用,后一份则弃去。将20-50毫米筛份的晶体硅放在反射炉里,在780-820℃的温度和搅拌的条件下,使其溶解于液态的铝中,生成硅铝合金的熔体[参见M.B.Altman,A.A.Lebedev,M.V.Chukhrov合著的《轻合金的熔炼和铸造》,发表于1969年,苏联“冶金出版社”(莫斯科)出版,第270-271页]。

使用上述方法,可确保达到较高的硅吸收程度。同时,由于合金中非金属夹杂物(氧化铝和氢)的含量降低,所得合金的质量有所提高。此外,该法还可减少炉渣形成量。该法在技术操作上可行,能耗也不大。

众所周知,在晶体硅的粉碎过程中,20-50毫米筛份的平均产率为95%,而0.3-1.0毫米筛份的量平均占4.5%。采用上述方法时,0.3-1.0毫米筛份的晶体硅不能用于制造硅铝合金,这就造成了稀缺原材料的非生产性损失。

因此,作为本发明基础的课题是:在制取含硅量为2-22重量%的硅铝合金的方法中,通过改变晶体硅溶解过程的条件,把0.3-1.0毫米筛份的硅利用起来,从而避免稀缺原料的损失,并提高所制成的合金的质量。

这项课题是用如下所述的一种制取含硅量为2-22重量%的硅铝合金的方法(本发明方法的第一种方案)解决的,它包括:将经过粉碎的晶体硅分选成20-50毫米的筛份和0.3-1.0毫米的筛份;把20-50毫米筛份的晶体硅放在反射炉里,在780-820℃的温度和搅拌的条件下,使其溶解在液态铝中,生成硅铝合金熔体,其中,根据本发明,是在20-50毫米筛份的晶体硅发生溶解的同时,利用惰性气体气流,把0.3-1.0毫米筛份的晶体硅带到合金熔体的液面以下(under    the    melt    level),其量占晶体硅总投料量的3-10%。

上述课题还可以用如下所述的一种制取含硅量2-22重量%的硅铝合金的方法(本发明方法的第二种方案)来解决,它包括:先将经过粉碎的晶体硅,按晶粒大小为20-50毫米和0.3-1.0毫米分选成两份;再把20-50毫米筛份的晶体硅放到反射炉里,在780-820℃的温度和搅拌的条件下,使其溶解在液态铝中,生成硅铝合金熔体。其中,根据本发明,20-50毫米筛份的晶体硅是与0.3-1.0毫米筛份的晶体硅一起溶解的,这两份晶体硅的重量比相应为80-85∶20-15。但是,在溶解之前,须将0.3-1.0毫米筛份的晶体硅与氯化钡及助熔剂(主要成为为氯化钠和氯化钾)一起压制成形,0.3-1.0毫米筛份的晶体硅、氯化钡和助熔剂三者的配料比(重量比)为7∶1-2∶1-3。

本发明方法(上述两种方案)使0.3-1.0毫米筛份的晶体硅得到了利用,从而避免了稀缺原料的损失。此外,利用本发明方法制得的合金中非金属夹杂物(氧化铝和氢)的含量低,所以可得到质量更高的合金。

在2-50毫米筛份的晶体硅溶解的同时,利用惰性气体气流把0.3-1.0毫米筛份的晶体硅引入到熔体的液面以下(第一种方案),可以保证增加细筛份硅在熔体中停留的时间,也就是说,在细筛份硅浮升到熔体表面之前,有足够的时间让它溶解在熔体中。此外,从熔体中通过的惰性气体有助于除去熔体中的非金属夹杂物(氧化铝和氢)。

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