[其他]锗基片单层硫化锌高强度增透膜无效
| 申请号： | 87102489 | 申请日： | 1987-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN87102489A | 公开（公告）日： | 1988-10-12 |
| 发明（设计）人： | 余菊仙 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 云南省专利事务所 | 代理人： | 李灿 |
| 地址： | 云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锗基片 单层 硫化锌 强度 增透膜 | ||
【权利要求书】：
1、一种镀在Ge基片上的单层ZnS增透膜的制造方法，其特征是：采用了冷基片蒸镀和特定温度下热处理强化工艺。
2、按照权利要求1所说的制造方法，其特征是所说的冷基片是基片在蒸镀前不在真空室内烘烤加热。
3、按照权利要求1所说的制造方法，其特征是所说的特定温度下热处理强化工艺是：膜片在置入电炉内在大气条件下应缓慢升温，温度从室温升到300℃时间应需大于1.5小时。温度升至300℃后保持300℃温度14小时以上。温度从300℃降至室温为缓慢进行。
4、按照权利要求1所述的制造方法，其特征是在基片放置入真空室前，真空室和样品必具需经过辉光放电的清洁处理。
5、按照权利要求1所说的制造方法，其特征是膜片应置入炉内存放有中心成空腔形的铝材料作成的腔体中心内。
6、按照权利要求1所说的制造方法，其特征是样品夹具材料是高温下性能稳定，不会释放对膜层有污染的材料做成。
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