[发明专利]在多晶硅上具有平滑界面的集成电路

权利要求书

1、一种集成电路电容器，包括：

a，一种第一多晶体的导电层，它包括50%～100%的硅原子；

b，在所说的第一导电层上的一种复合绝缘材料层；

c，在绝缘层上的一种第二导电层，其中在所说的第一导电层和所说的绝缘层之间的垂直于所说的界面的最大局部偏差是60。

2、根据权利要求1所述的电容器，其特征在于所说的电容器还包括对所说的电容器施加电压的装置，如果所说的绝缘层是一种具有所说的绝缘层的厚度的理想绝缘层，所说的电压至少是击穿所说绝缘层所需电压的四分之一。

3、一种集成电路制造中在两层导电层之间制造电容器的方法，包括下列步骤：

（a）沉积一种包括50%～100%非晶（不是多晶的）硅（原子）的第一导电层;然后，

（b）不经氧化，即在所说的第一导电层上沉积绝缘层;

（c）使第一导电层退火，以使其多晶化;

（d）在所说的绝缘层上沉积一种第二导电层。

4、根据权利要求3的方法，其中所说的第一A导电层包括50%～100%的硅原子。

5、根据权利要求3的方法，其中所说沉积绝缘层步骤包括低压化学汽相沉积。

6、根据权利要求3的方法，其中沉积绝缘层的方法是沉积一种复合绝缘材料层。

7、根据权利要求3的方法，其中沉积绝缘层的方法是沉积一种多层的绝缘层，该绝缘层包括多层不同的组分。

8、根据权利要求3的方法，其中沉积所说的第一导电层是低于600℃的温度下完成的。

9、根据权利要求3的方法，其中所说的第一层沉积的厚度小于3000。

10、根据权利要求3的方法，其中所说的绝缘层沉积的总厚度小于500。

11、根据权利要求3的方法，其中所说的第一导电层在所说的在其上面沉积绝缘层步骤之前，没有被氧化。

12、根据权利要求3的方法，其中所说的第一导电层在所说的在其上面沉积绝缘层步骤之前，用离子注入法掺杂。