[其他]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种实质上由非晶形和/或微晶形材料组成的半导体器件，其特征在于，它的多结结层包括一或多层掺以n型掺杂剂的n型层，一或多层掺以p型掺杂剂的p型层，以及至少一层包括一个高浓度的杂质并被插入所说p型和所说n型层间的薄层，从而促进载流子的复合。

2、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说被插入的薄层位于所说p型层之上，并且比其余p型层具有较高的杂质浓度。

3、根据权利要求2的半导体器件，其特征在于，所说被插入的薄层具有在10-300埃范围内的厚庹。

4、根据权利要求2的半导体器件，其特征在于，所说杂质主要包括p型掺杂剂。

5、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说被插入的薄层位于所说n型层之上，并且比其余n型层具有较高的杂质浓度。

6、根据权利要求5的半导体器件，其特征在于，所说杂质主要包括n型掺杂剂。

7、根据权利要求5的半导体器件，其特征在于，所说较高浓度层具有在10-700埃范围内的厚度。

8、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说被插入薄层至少包括两层较薄的层。

9、一种为具有非晶形结构类型的光电电池用的半导体器件，其特征在于，它包括：

一层n型层;

一层p型层;以及

一层在所说p型层和所说n型层间的边界层，所说边界层的杂质来自由氮、氧、铁、铜和锗组成的组合，其杂质浓度大于在所说n型和所说p型层中杂质的总浓度。

10、一种在半导体器件中的p-n或n-p结界面上促进电子-电子空穴复合的方法，其特征在于，该方法包括：

（a）形成一层具有掺进p型杂质的第一浓度的p型层，

（b）形成一层具有掺进p型杂质的第二浓度的n型层;以及

（c）在毗邻所说界面的所说p型层或n型层上形成一浓度层，如该层配置在所说p型上，其浓度大于所说第一浓度，如该层配置在所说n型层上，则其浓度大于所说第二浓度。

11、一种在半导体器件中的p-n或n-p结界上促进电子-电子空穴复合的方法，其特征在于，该方法包括：

（a）形成一层具有掺进p型杂质的第一浓度的p型层;

（b）形成一层具有掺进n型杂质的第二浓度的n型层;以及

（c）在所说界面上形成一层边界层，该边界层的杂质来自由氮、氧、铁、铜和锗组成的组合，而且其浓度大于所说n型层和p型层中杂质的总浓度。