[其他]用于气相淀积的方法和装置

权利要求书

1、一种控制气相淀积生长薄膜的成分及其生长的方法，包括下列步骤：

光束照射到上述薄膜表面上，该光束的入射角近似地与薄膜表面成直角，

接收从薄膜上反射的光束，用来监测生长参数和产生生长参数指示信号，并且

根据该生长参数指示信号反馈控制薄膜的生长条件。

2、一种如权利要求1所述的方法，其生长参数是根据该薄膜的反射光束强度得出的。

3、一种如权利要求2所述的方法，其生长参数之一是根据该反射光束强度得出的折射率。

4、一种如权利要求2所述的方法，其生长参数之一是该薄膜的成分。

5、一种如权利要求2所述的方法，其所述的生长参数之一是相对于照在薄膜表面的光束强度的所述的反射光相对强度。

6、一种如权利要求5所述的方法，其中所述的相对于入射光束强度的反射光相对强度，其变化取决于照射光束的波长。

7、一种如权利要求1所述的方法，其中所述的薄膜是在基片上制成的，该基片装在基座上，基座具有一稍微倾斜的台面。

8、一种如权利要求1所述的方法，其中所述的生长条件靠调节反应气体流量来调整。

9、一种如权利要求7所述的方法，其中所述的基座是以一给定的常速绕其中心轴转动的。

10、一种如权利要求9所述的方法，其中所述的在该基座上的基片，受到光束周期性的照射，其反射光强度变化取决于生长参数的变化。

11、一种用气相淀积形成薄膜的装置，包括：

第一部件  定义为反应室，气体数量受到控制的反应气流从其中流过;

第二部件  用光束以相对生长膜近似成直角的入射角照射到生长膜层的表面上。

第三部件  接收由生长膜反射的光束，用它产生一反射光束强度指示信号。

第四部件  根据反射光强度的指示信号，导出所述薄膜的多个生长参数。

第五部件  根据上述生长参数控制该薄膜的生长条件，因而生长参数与予定值相一致。

12、一种如权利要求11所述的装置，在其所述第四部件中，根据该反射指示信号值得到该薄膜的厚度。

13、一种如权利要求11所述的装置，在其所述第四部件中，得到该薄膜的折射率。

14、一种如权利要求11所述的装置，在其所述第四部件中，得到关于参考光强度的相对反射光强度，用于检测所述薄膜的成分。

15、一种如权利要求14所述的装置，在其所述第四部件中，根据该薄膜开始淀积之前测得的反射光强，得到参考光强度。

16、一种如权利要求14所述的装置，在其所述第四部件中，根据照到该薄膜上的光束的光强度，得到该参考光强度。

17、一种如权利要求15所述的装置，其所述薄膜是采用金属有机物化学气相淀积方法，在基片上生长的，而所述的参考光强度，是根据相对于基片测出的反射光强度得出的。

18、一种如权利要求11所述的装置，其中薄膜采用金属有机物化学气相淀积方法生长在基片上，基片装在位于反应室内的基座上，该基座带着基片以一给定的速率绕中心旋转轴转动，在转动过程中，使该基片同上述第二部件在一定角度位置上对正。

19、一种如权利要求18所述的装置，其中第二部件包含一组光束作为入射光源，以和基片表面近似垂直的角度照射，当基片位于基座的一予定角度位置时，每一个光束源对准该基片。