[其他]硅平面型功率晶体管管芯制造方法无效
| 申请号： | 87102729 | 申请日： | 1987-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1004737B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘振茂;张国威;张鹏俭 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 哈尔滨工业大学专利事务所 | 代理人： | 黄锦阳 |
| 地址： | 黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 功率 晶体管 管芯 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种硅平面型功率晶体管管芯制造方法，其工艺步骤包括（1）硼扩散形成基区;（2）磷扩散形成发射区，并予以氧化;（3）沿集电结在二氧化硅层上用光刻法开出窗口;（4）腐蚀窗口显露的硅;（5）表面钝化;（6）光刻引线孔、蒸铝、反刻铝、制出管芯。其特征在于
a、沿集电结在二氧化硅层上开出窗口，窗口的宽度D为：
D＝D1+D2
≈W+2△S
D1为跨在集电区上的宽度，D2为跨在基区内的宽度，W为外延层厚度，△S为光刻的套刻精度;
b、硅腐蚀：腐蚀窗口显露的硅，其腐蚀深度为发射结的结深（Xje）。
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