[发明专利]适用于高速连续成像系统的光接收元件无效
申请号: | 87102801.8 | 申请日: | 1987-04-17 |
公开(公告)号: | CN1011626B | 公开(公告)日: | 1991-02-13 |
发明(设计)人: | 武井哲也;青池达行;加藤实;齐藤惠志 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/08 | 分类号: | G03G5/08;G03G5/082;G03G5/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 郁玉成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适用于 高速 连续 成像 系统 接收 元件 | ||
1、一种适用于高速图象制作系统的光接收元件,它包括至少一个基底和一层光接收层,上述光接收层自基底一边包括:
一层厚度为3到100微米的光导层,其材料选自:(a)含有作为主要成分的硅原子,以及选自氢原子和卤素原子中至少一种原子的非晶材料;或(b)含有作为主要成分的硅原子、选自锗原子和锡原子中至少一种原子、以及选自氢原子和卤素原子中至少一种原子的非晶材料,和
一层厚度为0.003到30微米、有着一个自由表面和非晶材料形成的表面层,此非晶材料含有硅原子和占总原子量0.5%到95%、选自碳原子、氧原子、氮原子(C,O,N)组中至少一种,其特征在于,上述(C,O,N)原子的浓度足以使得在光导层和表面层之间界面处的表面层部分呈现出如此的折射率,使得在界面处光导层部分的折射率和表面层部分的折射率之间的差(△n)不大于0.62,而在上述界面处的表面层部分的光带隙和光导层部分的光带隙之间的差值△Egopt不小于0.01,其中,在界面处表面层一边,(C,N,O)原子呈现低浓度,而在自由表面一边,(C,N,O)原子呈现高浓度,因而,上述△n和△Egopt的值倾向于阻止界面条纹和重像的形成而不必降低上述光接收元件的光谱灵敏度。
2、根据权利要求1的光接收元件,其中自光导层和表面层之间的界面在厚度方向上,向着表面层的自由表面,上述的(C,O,N)原子的浓度逐渐增大。
3、根据权利要求1的光接收元件,其中,基底是电绝缘的。
4、根据权利要求1的光接收元件,其中,基底是导电性的。
5、根据权利要求1的光接收元件,其中,基底是铝合金。
6、根据权利要求1的光接收元件,其中,基底为圆柱形的。
7、根据权利要求1的光接收元件,其中,基底表面是不平坦的。
8、根据权利要求1的光接收元件,其中,光导层含有周期表的Ⅲ族的一个元素。
9、根据权利要求8的光接收元件,其中,上述元素选自硼、铝、镓、铟、和铊所组成一族元素。
10、根据权利要求8的光接收元件,其中,光导层中含有的上述元素的数量为0.001到3000原子ppm。
11、根据权利要求1的光接收元件,其中,光导层含有周期表Ⅴ族的元素。
12、根据权利要求11的光接收元件,其中,上述元素选自磷、砷、锑和铋所组成的那一族元素。
13、根据权利要求11的光接收元件,其中,含在光导层中的上述元素的数量为0.001到3000原子ppm。
14、根据权利要求1的光接收元件,其中,光导层含有1%到40%原子量的上述氢原子。
15、根据权利要求1的光接收元件,其中,光导层含有1%到40%原子量的上述卤素原子。
16、根据权利要求1的光接收元件,其中,光导层含有总量为1%到40%原子量的氢原子和卤素原子。
17、根据权利要求1的光接收元件,其中,光导层含有选自由氧原子、碳原子和氮原子组成的一组元素中至少一种。
18、根据权利要求17的光接收元件,其中,光导层中含有的氧原子的数量是由10到5×105原子ppm。
19、根据权利要求17的光接收元件,其中,光导层中含有的碳原子的数量是由10到5×105原子ppm。
20、根据权利要求17的光接收元件,其中,光导层中含有的氮原子的数量是由10到5×105原子ppm。
21、根据权利要求17的光接收元件,其中,在光导层中含有的氧原子、碳原子和氮原子的总和是由10到5×105原子ppm。
22、根据权利要求1的光接收元件,其中,表面层含有选自氢原子和卤素原子中至少一种原子。
23、根据权利要求22的光接收元件,其中,表面层含有1%到70%原子量的上述氢原子。
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