[发明专利]栅控半导体四极管

权利要求书

1、栅控半导体四极管涉及半导体器件，它包括一个半导体双极晶体管，其特征在于还包括一个置于双极晶体管基极电流通道上的用于控制其基极注入电流的场效应栅电极，这个栅电极和双极晶体管的三个电极均分别独立地作为四极管的四个电极端子引出。

2、根据权利要求1所述的栅控半导体四极管，其特征在于它的场效应控制栅可以是结型栅，栅结构的设计必须使它能控制整个基极电流通道，该栅结可以是PN结，也可以是金属-半导体整流结。

3、根据权利要求2所述的栅控半导体四极管，其特征在于它的结型场效应控制栅可以是增强型结构，也可以是耗尽型结构，作为耗尽型结构时，其沟道厚度和杂质浓度的选取，必须保证耗尽层夹断沟道之前栅结不被击穿。

4、根据权利要求1所述的栅控半导体四极管，其特征在于它的场效应控制栅可以是绝缘栅。

5、根据权利要求4所述的栅控半导体四极管，其特征在于它的场效应绝缘栅结构可以是增强型的，也可以是耗尽型的，作为耗尽型结构时，其栅结构的设计必须使它能控制整个基极电流通道，并且其沟道厚度和杂质浓度的选取，必须保证耗尽层夹断沟道之前栅结不被击穿。

6、根据权利要求4或5所述的栅控半导体四极管，其特征在于其绝缘栅结构可以是金属栅结构或硅栅结构，其绝缘体可以是单层绝缘物质，也可以是多层不同绝缘物质的迭层，甚至混合绝缘物。

7、根据权利要求1，或2，或3，或4，或5所述的栅控半导体四极管，其特征在于它可以是用P沟场效应栅控制npn双极晶体管的基极注入电流的四极管，也可以是用n沟场效应栅控制pnp双极晶体管的基极注入电流的四极管。