[其他]磁记录载体

说明书

本发明涉及用于磁盘等装置的磁记录载体，特别是具有高度可靠的耐蚀性和耐磨性的高记录密度磁记录载体。

在日本特许公开№54-33523公开的一种采用金属磁性薄膜的磁记录载体已被推荐用于高密度磁记录。一般来说，磁记录载体是用蒸镀、溅射、喷镀和离子束溅射等方法制造的。随着最近对更高记录密度和更高可靠性的需要的增长，已经提出的磁性金属中添加第三元素如Cr、Nb等，以此提高耐蚀性。这披露于日本特许公开№57-15406和57-196508。然而，所有这些现有技术几乎都涉及磁记录带，还不能满足象电子计算机硬磁盘等对可靠性的严格要求。

本发明的目的是提供一种由Co-Ni基磁性金属薄膜组成的磁记录载体，其耐蚀性得到改善并具有显著的金属磁性薄膜磁特性。

这个目的和其它目的通过提供一种包括非磁性基底及形成于其上的磁性薄膜的磁记录载体来达到。其特征在于磁性薄膜主要由Co，Ni及Zr和Hf中的至少一种组成，该磁性薄膜以Co-Ni总量为基础的Zr或Hf或Zr和Hf的原子百分比为0.1～30%。

图1是本发明一个实施例的磁盘剖面图。

图2和图3分别是本发明磁盘和对比磁盘作1摩尔/升-NaCl喷雾和浸渍试验的结果曲线图。

图4和图5分别是本发明磁盘和对比磁盘的磁特性曲线图。

图6是本发明另一实施例的硬磁盘载体的剖面图。

图7是图6所示硬磁盘载体的磁特性曲线图。

图8是本发明又一实施例的硬磁盘载体的剖面图。

图9是CoNiZr/Cr薄膜按厚度的组成分布图。

图10是本发明磁盘的平面（in-plane）矫顽力与磁性薄膜的Zr含量之间的关系曲线图。

图11是本发明磁盘S/N（信噪比）与磁性薄膜Ni含量之间的关系曲线图。

图12是本发明另一实施例按厚度的组成分布图。

图13和图14分别是本发明磁盘和对比磁盘作1摩尔/升-NaCl喷雾和浸渍试验的结果曲线图。

图15和图16分别是本发明磁盘和对比磁盘的磁特性曲线图。

图17是本发明又一实施例的磁特性曲线图。

对用分别含有元素周期表Ⅰb、Ⅲa、Ⅳa、Ⅴa和Ⅷ族中第4    5、6周期元素的各种Co-Ni合金靶制备的溅射磁性薄膜的磁特性和耐蚀性等进行了广泛研究，结果发现在Co-Ni合金磁性薄膜中添加Zr和Hf中的至少一种，可以获得很好的效果。

如果磁性薄膜含Zr，则以Co-Ni总量为基础的Zr原子百分比应为0.1～30%。为了改善磁特性，以Co为基础的Ni的理想含量是10～60%（原子百分比），更为理想的含量是20～50%（原子百分比），最为理想的含量是30～48%（原子百分比）。而且，以Co-Ni总量为基础的Zr含量为2～20%（原子百分比）是较好的，较为理想的是2～15%（原子百分比），更为理想的是3～12%（原子百分比），甚为理想的是4～11%（原子百分比）。

如果磁性薄膜含Hf或Hf和Zr两者，则以Co-Ni总量为基础的Hf含量或Hf和Zr的总含量应为0.1～30%原子百分比。在含有Hf和Zr两者的情形，从着眼于大量生产出发，以Zr为基础的Hf含量是2～3%（重量百分比）较为理想的。而且，以Co-Ni总量为基础的Hf含量或Hf和Zr总含量为0.1～15%（原子百分比）是较好的，最好是2～10%（原子百分比）。

按照本发明能够提供一种读-写性能特别优异的磁记录载体。这是通过在磁性薄膜与非磁性基底（或者当磁记录载体使用金属基底时，使基底表面氧化，厚度达10～400）之间形成一个厚度为100～5000的Cr中间层，并且把磁性薄膜直接形成在Cr中间层上。

按照本发明能够提供一种特别适合垂直磁记录的磁记录载体。这是通过在基底表面上形成厚度为20～1000的Si中间层，C中间层和Ge中间层中的至少一种而实现的。而且，可以在磁记录载体表面上形成一厚度为100～1000的非磁性保护层，由此可使其耐蚀性得到进一步改善并具有明显的耐磨性。

本发明的显著性能是基于以下作用。