[其他]圆形硅杯的电化学腐蚀

权利要求书

1、一种半导体硅压阻式压力传感器中园形硅杯的电化学腐蚀，采用含氟的腐蚀液[11]，在n⁺衬底上外延一层n型层，并在n⁺面上作好选择性掩膜图形的待腐蚀硅片[6]与腐蚀液[11]之间有不断的相对运动，在外加电场作用下达到腐蚀n⁺的目的，其特征是腐蚀液[11]采用NH₄F水溶液；用SiO₂作选择性腐蚀掩膜；待腐蚀硅片[6]的作好SiO₂选择性腐蚀掩膜的一面盖上有足够大内径的下橡皮圈[5]后，被夹在接向直接电源[10]负极的多孔铜电极[7]和接向直流电源[10]正极的铜电极[8]之间；腐蚀液[11]不断喷射入多孔铜电极[7]，直达待腐蚀硅片[6]进行腐蚀。

2、按照权利要求1所述的园形硅杯的电化学腐蚀，其特征是腐蚀液〔11〕存放在有机玻璃容器〔1〕中;具有百叶窗式长孔〔3〕的中空的搅拌器〔2〕的不断旋转，使腐蚀液〔11〕从中空的搅拌器〔2〕下部不断喷出和受连续搅拌;有机玻璃容器〔1〕的下部牢固连接一个U形件〔13〕;靠上橡皮圈〔4〕，用穿过U形件〔13〕的固紧螺丝〔9〕，把铜电极〔8〕、待腐蚀硅片〔6〕、下橡皮圈〔5〕和多孔铜电极〔7〕四者压向有机玻璃容器〔1〕下部的园形开口〔12〕进行对腐蚀液〔11〕的密封。

3、按照权利要求1或2所述的园形硅杯的电化学腐蚀，其特征是腐蚀液〔11〕采用5～6重量百分比的NH₄F水溶液;电场强度为75V/cm;搅拌器〔2〕转速约300～400转/分，可达8～10μm/min腐蚀速度。