[其他]用于晶体管逆变器功率晶体管的双变压器移相驱动电路

权利要求书

1、一种用于晶体管逆变器功率晶体管的双变压器移相驱动电路，有饱和变压器B₁、反馈电阻R_F1、R_F2、功率变压器B₂、功率晶体管基极的限流电阻R₅-R₁₀、二极管D₇、D₈和控制电路D，其特征在于所述的双变压器移相驱动电路是有C₁～C₂、D₁～D₄、R₁～R₄构成的移相矩形波电压上升沿微分电路和前置放大级晶体管B_G1、B_G2组成。

2、根据权利要求1所述的晶体管逆变器功率晶体管的双变压器移相驱动电路，其特征在于所述的移相矩形波电压上升沿微分电路的电子元件C₁～C₂、R₁～R₄的参数取决于BG₁、BG₂、BG₃、BG₄的放大倍数和开关时间，并按下列关系式确定：

R₃＝（0.1～1）β₂（U_D1-3-2.5）R_F1/2U_d

C₁＝（30～60）（T_on+T_off）×10^-3/R₃

C₂＝C₁

R₄＝R₃

R₁＝R₂＝2R₃

D₁～D₄为硅二极管。

使输出的脉冲高度保证BG₁、BG₂饱和导通;输出的脉冲宽度保证驱动电路可靠的翻转。

3、根据权利要求1所述的晶体管逆变器功率晶体管的双变压器移相驱动电路，其特征在于所述的饱和变压器B₁应先于功率变压器B₂饱和并具有多个次级绕组，B₁的自激振荡周期应大于市电周期（市电周期＝逆变器工作周期＝20毫秒），并按相邻两周期移相角α的变量Δα确定，当逆变器A的工作频率为50赫（或60赫）时B₁的自激振荡频率为40赫（或48赫），移相角在0～π之间，Δα＜ (π)/6 。

4、根据权利要求1、2、3所述的晶体管逆变器功率晶体管的双变压器移相驱动电路，其特征在于由双变压器移相驱动电路E和控制电路D、逆变器A及滤波电路LC可以组成逆变器主回路为晶体管推挽电路或逆变器主回路为晶体管桥式电路的晶体管三端交流不间断电源设备。

5、根据权利要求4所述的晶体管逆变器功率晶体管的双变压器移相驱动电路，其特征在于双变压器移相驱动电路E和控制电路D，逆变器A及滤波器LC可以组成逆变器主回路为晶体管推挽电路或逆变器主回路为晶体管桥式电路的晶体管双电平正弦化脉宽调制逆变器。