[其他]固体电解电容器制造方法无效
| 申请号： | 87104241 | 申请日： | 1987-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN87104241A | 公开（公告）日： | 1988-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘人敏;吴国良;王洪基;李月南 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01G9/02 | 分类号： | H01G9/02 |
| 代理公司： | 北京市第三专利代理事务所 | 代理人： | 母宗绪,陆菊华 |
| 地址： | 北京市新街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固体 电解电容器 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种固体电解电容器的制造方法，由具有阀作用的金属粉制成多孔烧结体，阳极氧化在多孔烧结体的表面形成阳极氧化膜，再将其浸渍在硝酸锰半导体母液中，浸渍后于高温水蒸汽气氛中进行高温热分解，被膜后，再依次被覆石墨层、金属层、装配、老炼而成产品，本发明的特征是，所说的固体电解电容器为高比容固体钽电解电容器，金属粉是高比电容金属钽粉，所说的硝酸锰半导体母液中硝酸锰的浓度为20～50%(重量百分数)，在硝酸锰半导体母液中添加五硼酸铵(NH4B5O8·4H2O)，添加五硼酸铵的量为硝酸锰半导体母液重量的0.1～1%，添加剂五硼酸铵只须在1～3次被膜时加入，高温热分解的温度为200℃～250℃。
2、根据权利要求1的一种固体电解电容器的制造方法，其特征是，硝酸锰的浓度为25～35%。
3、根据权利要求1的一种固体电解电容器的制造方法，其特征是，所说的高比容金属钽粉其比电容为12000～18000μf·v/g。
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