[发明专利]多室淀积设备

说明书

本发明是一种在真空条件下连续向带材喷镀薄膜涂层的设备，具体来说，本发明所说的是一种改进的装置，该改进装置具有多个淀积室安装在一个高真空度的仓室中以连续地实施不同薄膜的涂层。

根据美国能源署第ZB-4-03056-2号转包合同，美利坚合众国政府拥有本发明的权利。

在应用薄膜涂层方面，已有多种方式问世，其涂层至少由两种不同成份组成，尤其是在制造光电装置方面，要求设备能高效和经济地产生多层薄膜涂层。当各涂层的电及光感性能必须加以控制时，就更需要这种设备。

美国专利第3，294，570号发明者查申（Charschan）等人公开了一种连续真空处理的设备，它包括多个相互连结的开口仓室，各独立的仓室沿一条通道上的诸孔洞而分布，通道内的材料裸露在仓室内的涂膜气体之中。在该设备中，各有关装置与各个淀积室相连以保持各仓室内预先抽真空的压力。根认为，该设备特别适合于淀积钽膜，这是用于电子线路的制造的，该淀积设备控制的氧化层可保证导致再现的电气特性。

佛灵（Foehring）等人获得的美国专利第3，805，736号公开了一种在一个反应室内可完成质量交换反应的设备，利用层流来提供有限的传输扩散及各工序间的隔离。该淀积设备包括，在一个淀积室内限定一个蒸汽传送区域的装置，该淀积室还包括一个初级蒸汽扩散装置，该装置沿纵向延伸越过蒸汽传送区，用来将起初的气相物质分配至层流中去，而该流层与基板表面大致平行且与基板传送通道相垂直，在淀积室内装有相对放置的排放装置和至少一个辅助的相邻的蒸汽扩散装置。各蒸汽传送区域在结构上皆为全开式，且彼此相连，而处理方式则基本上由于层流关系而连续独立进行。

威克菲尔德（Wakefield）在美国的专利第3，965，163号中公开了一种方法，即自较低级的硅形成半导体硅，在第二个反应室内P型层借助于扩散入N型层而在N型层上形成P型层。

斯摩尔（Small）等人在美国专利第4，015，163号中公开了一种多层汽化淀积设备，该设备包括多个逐序相连的淀积室，淀积室所带的阀类装置安装在每一相应的出口室及入口室相对的端部，用以密封涂层室并阻止涂层室与在一起的一些用来在每一涂层室内产生真空条件的独立装置之间的联系。

马塔斯古·伊祖（Matatsgu    Isu）等人在美国专利第4，400，409号中公开了一种制做光电板的方法，它包括一卷具有一个或多个电极生成区的挠性基板材料的带材，随后打开上述的基板卷，基本上连续地进入部分抽真空的地区，它包括至少有一处硅淀积区，其中，在至少一部分上述一个或多个电极生成区的至少两个相反导电率（P和N）型的挠性硅薄膜上被涂敷;一个或多个上述生成光电空区的薄膜，上述在基本上是连续带材构成的基板，以及每一个上述硅薄膜都在各自的辉光放电区淀积，带材通过该放电区便形成一个大体上连续的淀积过程。根据伊祖（IZu）等人的发明，当使用许多相同的淀积室时，每个淀积室都由隔离通道相连，每个喷镀室的排放废气便足以隔离各室;然而惰性载运汽可进入每个通道从通道两侧的淀积室清扫通道内的各种气体。在13栏，第14～17行处说明，“将所有的淀积室区域都封闭在一个与其他仓室彼此隔开的单一仓室中也是可行的”，然而没有什么学说来说明这种方法如何加以实施或有什么效益产生。

卡尼拉（Cannella）等人在美国专利第4，438，723中公开了一种多室淀积系统及隔离装置，它包括一个连接第1和第2淀积室的槽缝和形成气流的装置，该气流从槽缝以足够的流量流入第一淀积室，以保持第一淀积室的一种元素浓度与第二室的一种元素浓度之比至少为10⁴。

对照前面涉及的工艺背景，本发明包括一个整体的真空室，该室内具有几个单独的淀积室，每个淀积室都有传导限定槽和单独的真空泵装置用来提供适当的低压，以便在各淀积室中同时进行原材料的淀积，并且在各淀积室之间不产生明显的生产气体相互扩散。

因此，本发明的目的就是提供一种多涂层真空淀积设备，其结构较前述的真空淀积设备简单，这样便可以缩短停机时间。

此外，本发明的目的在于，由于简化了复杂的结构，而使得所提供的多室真空淀积设备的安装和操作更经济。

同时，本发明的目的也在于提供一种使各淀积室之间严格分离的多室真空淀积设备。