[发明专利]半导体器件的制造方法和系统

权利要求书

1、一用化学汽相反应制造半导体器件的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：

引入一非产气体到一真空室的反应空间;

使所述的非生产气体置于磁场中;

对所述的非生产气体施加微波，以激励所述的非生产气体，以及在磁场存在的条件下给通过分解从所述的非生产气体中产生的带电粒子供能;

引入一用于淀积碳化硅的生产气体至淀积空间;

借助于所述赋能的带电粒子与所述生产气体混合，实现所述生产气体的化学汽相反应，随后在安置在所述的真空室中的一基片上淀积Si_xC_1-x（0＜X＜1）半导体层。

2、根据权利要求1的方法，其特征在于所述的生产气体含有甲基硅烷。

3、根据权利要求1的方法，其特征在于所述的生产气体是硅化物气体和碳化物气体的混合物。

4、根据权利要求1的方法，其特征在于所述的生产气体是硅烷和甲基硅烷的混合物。

5、根据权利要求2的方法，其特征在于所述的甲基硅烷是二甲基硅烷。

6、根据权利要求1的方法，其特征在于所述赋能步骤是在电子回旋共振内实施。

7、根据权利要求3的方法，其特征在于通过引入作为一掺杂气体的硼化合物气体与所述的生产气体一起，以将所述的碳化硅半导体形成为P型半导体。

8、根据权利要求4的方法，其特征在于所述的生产气体包括磷化合物气体作为一掺杂气体。

9、根据权利要求7的方法，其特征在于所述的硼化合物气体是用硅烷气体稀释了的乙硼烷气体。

10、一用化学汽相反应制造半导体器件的方法，其特征在于包括的步骤有：

引入一非生产气体到一真空室的反应空间;

将所述的非生产气体置于磁场中;

对所说的非生产气体施加微波，以激励所述非生产气体，并在磁场存在的条件下，给通过分解从所述的非生产气体所产生带电粒子供能;

引入一用于淀积碳化硅的生产气体至一淀积空间;以及

借助于所述赋能带电粒子与所述生产气体混合，实现所述生产气体的化学汽相反应，随后，在安置在所述真空室内的一基片上淀积Si_xGe_1-x（0＜X＜1）半导体层。

11、一用化学汽相反应制造半导体器件的方法，其特征在于包括的步骤有：

引入一非生产气体到一真空室的反应空间;

将所述的非生产气体置于磁场中;

对所说的非生产气体施加微波，以激励所述非生产气体，并在磁场存在的条件下，给通过分解从所述的非生产气体所产生带电粒子供能;

引入一用于淀积碳化硅的生产气体至一淀积空间;以及

借助于所述赋能带电粒子与所述生产气体混合，实现所述生产气体的化学汽相反应，随后，在安置在所述真空室内的一基片上淀积Si_xSn_1-x（0＜X＜1）半导体层。

12、一用化学汽相反应制造半导体器件的方法，其特征在于包括的步骤有：

引入一非生产气体到一真空室的反应空间;

将所述的非生产气体置于磁场中;

对所说的非生产气体施加微波，以激励所述非生产气体，并在磁场存在的条件下，给通过分解从所述的非生产气体所产生带电粒子供能;

引入一用于淀积碳化硅的生产气体至一淀积空间;以及

借助于所述赋能带电粒子与所述生产气体混合，实现所述生产气体的化学汽相反应，随后，在安置在所述的真空室内的一基片上淀积Si_xGe_1-x（0＜X＜1）半导体层。