[其他]半导体器件的制造方法和系统

权利要求书

1、用化学汽相反应制造半导体器件的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：

引入一生产气体到一包括有一置于磁场下的和接收微波的共振空间，以及一与共振空间互通的和在其内有一衬底的反应空间的真空室；

使所述的生产气体置于所说磁场中；

对所述的生产气体施加一微波，以激励所述的生产气体，以及在磁场存在的条件下给通过分解从所述的生产气体中产生的带电粒子供能；

借助于赋能的生产气体的能量，实现硅和碳的化学汽相反应，随后在安置在所述的真空室中的一衬底上淀积Si_xC_1-x(0＜X＜1)半导体层。

2、根据权利要求1的方法其特征在于还包括引入一反应气体到所述的反应空间，所述的生产气体与由微波激励过的所述生产气体混合，并由所述被激励的生产气体的能量赋能。

3、根据权利要求2的方法其特征在于所述的反应气体含有甲基硅烷。

4、根据权利要求2的方法其特征在于所述的反应气体是硅化物气体和碳化物气体的混合物。

5、根据权利要求2的方法其特征在于所述的反应气体是硅烷和甲基硅烷的混合物。

6、根据权利要求3的方法其特征在于所述的甲基硅烷是二甲基硅烷。

7、根据权利要求1的方法其特征在于供能步骤是在电子回旋共振内实施。

8、根据权利要求4的方法其特征在于通过引入作为一掺杂气体的硼化合物气体与所述的反应气体一起，以将所述的碳化硅半导体形成为P型半导体。

9、根据权利要求5的方法其特征在于所述的反应气体包括磷化合物气体作为一掺杂气体。

10、根据权利要求8的方法其特征在于所述的硼化合物气体是用硅烷气体稀释了的乙硼烷气体。

11、用化学汽相反应制造半导体器件的方法其特征在于包括的步骤有：

引入一生产气体到一真空室;

将所述的生产气体置于磁场中;

对所说的生产气体施加一微波，以激励所述生产气体和在磁场存在的条件下，给通过分解从所述的生产气体所产生带电粒子供能，以及供助于被供能的生产气体的能量实现硅和锗的化学汽相反应，随后，在安置在所述真空室的一衬底上淀积Si_xGe_1-x（0＜X＜1）半导体层。

12、用化学汽相反应制造半导体器件的方法其特征在于包括的步骤有;

引入一生产气体到一真空室;

将所述生产气体置于磁场中;

对所述生产气体施加一微波，以激励所述生产气体和在磁场存在的条件下，给通过分解从所述的生产气体所产生带电粒子供能，以及

借助于被供能的生产气体的能量，实现硅和锡的化学汽相反应，随后，在安置在所述真空室内的一衬底上淀积Si_xSn_1-x（0＜X＜1）半导体层。

13、用化学汽相反应制造半导体器件的方法其特征在于包括的步骤有：

引入一生产气体到一真空室;

将所述的生产气体置于磁场中;

对所述的生产气体施加一微波，以激励所述生产气体和在磁场存在的条件下，给通过分解从所述的生产气体所产生带电粒子供能，以及

借助于被供能的生产气体的能量，实现碳和锗的化学汽相反应，随后，在安置在所述的真空室内的一衬底上淀积C_xGe_1-x（0＜X＜1）半导体层。