[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种由一块衬底，三叠层半导体部件和二个对置于三叠层半导体部件二外表面的第一和第二电极组成的光敏半导体部件，其中所说的衬底是透明的以及至少一个电极也是透明的，其特征在于，所说三叠层半导体部件是由一层第一导电型N型或P型的第一非单晶半导体层、一层制备在第一非单晶半导体层上的掺杂水平低于第一非单晶半导体层的N^-、I或P^-型非单晶光敏半导体和一层制备在所述光敏半导体层上的第一导电型N型或P型的第二非单晶半导体层所构成的、电压一电流特性呈非线性的半导体光敏结部件。

2、一种如权利要求1的器件，其中，所述电极之一与和其欧姆接触的所述半导体层对准。

3、一种如权利要求1的器件，其中，所述三层式部件由加有氢原子或卤素原子的非单晶硅半导体构成。

4、一种如权利要求1的器件，其中，所述三层式部件的光敏半导体层（中间层）由加有氢原子或卤素原子的Si_xC_1-x（0＜X＜1）和/或Si_xN_4-x（0＜X＜4）。

5、一种如权利要求4的器件，其中，所述光敏半导体层基本上是本征的。

6、一种如权利要求5的器件，其中所述光敏半导体层由多晶硅半导体构成。

7、一种如权利要求1的器件，其中，所述器件形成在方格玻璃上。

8、一种如权利要求1的器件，其中，与所述电极接触的所述半导体部件的半导体层为N型。

9、一种如权利要求8的器件，其中，所述电极由铬构成。

10、一种如权利要求1的器件，其中，所述透明电极带有一个在其上形成一层铬膜层的附加延展部分。

11、一种如权利要求1的器件，其中，所述半导体层由加在其中的NIN结构成。

12、一种如权利要求11的器件，其中，N型层的形成为300-1000。

13、一种如权利要求12的器件，其中，所述N型半导体层的导电率是10^-4-10Scm^-1。

14、一种如权利要求1的器件，其中，所述半导体部件形成有加在其中的PIP结。

15、一种如权利要求14的器件，所述光敏半导体结是NIN结，述半导体部件三层式部件的光敏半导体层（中间层）掺有氢原子或卤素原子。

16、一种如权利要求15的器件，其中，所述光敏半导体的厚度为0.2至1微米。

17、一种如权利要求1的器件，其中，所述器件由多个具有大致相同形状的部分组成，所述部分能够分别具有光传感器的作用。

18、一种如权利要求17的器件，其中，所述多个部分排列成阵列，该阵列具有各个部分的电极装置。

19、一种如权利要求18的器件，其中，所述阵列为一个带有所述透明电极和所述对向电极的矩阵，所述透明电极由多个平行隔离的条组成，所述对向电极也由多个示行隔置的条组成，所述部分置于构成所述电极装置的所述电极装置的交叉处。

20、一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：

在衬底上形成第一电极;

在所述第一电极上形成第一导电型的第一非单晶半导体层;

在所述第一半导体层上，形成一基本本征型的光敏非单晶半导体层;

在所述本征半导体层上形成第一导电型的一第二非单晶半导体层;

以一定方式进行所述半导体层的形成步骤，使得所述半导体层基本构成一个具有非线性电压-电流特性的NIN或PIP法，以及在所述半导体层上形成第二电极。

21、一种如权利要求20的方法还包括步骤：以所述第二电极为掩膜，除了与所述第二电极叠合的部分外，去除所述三层半导体层。

22、一种如权利要求1的器件，其中，所述第二电极是透明的。

23、一种如权利要求1的器件，其中，所述衬底和所述第一电极是透明的。