[发明专利]摄象管靶

说明书

本发明涉及一种摄象管靶，更准确地说，涉及整流接触型摄象管靶的一种改进的结构，该靶包括含有作为主要成分的硒、同时包含砷、碲或其他材料的P型光电导层以及电子束射击层，该靶的特点是在长期工作期间信号电流对靶电压的特性几乎不变。

在美国专利第3，890，525，3，922，579，3，984，722，4，040，985和4，330，733号中公开了一种利用包含无定形硒、碲、砷及其他材料的P型光电导层和N型材料之间的整流接触特性的摄象管靶。

这种类型的摄象管靶的优点是：高响应速度，几乎没有影象寄生光斑，高分辨率和易于制造。

图1表示一种摄象管靶的主要部分的断面。在透明的玻璃基片1的背面形成含有作为主要成分的SnO₂或In₂O₃的透明导电薄膜2。在透明的导电薄膜2的背面形成一层非常薄的硒化锌、氧化锗、氧化铈、氟化锂或类似材料的N型透明导电薄膜3。在N型透明导电薄膜3上淀积一层厚度为几个微米的、含有作为主要成分的无定形硒的P型光电导薄膜14。在P型光电导层14上淀积一层厚度大约1000埃的Sb₂S₃或类似材料的电子束射击层5。

来自景物的入射光6进入透明的玻璃基片1，同时扫描电子束7落在Sb₂S₃层5上、以便把所述光影象转变成电信号。

因为硒对长波长的辐射不敏感，所以已经提出了这样一种方法，即，在含硒层14的整流接触附近厚度为几百埃的区段内加入碲、其最大浓度为20%至50%（按重量计），以便改善对长波长辐射的灵敏度。美国专利第3，890，525和第4，040，985号中公开了这种方法。

用硒作为主要成分的无定形光电导层14容易由于加热而结晶，结果导致在重现的图象中出现白点。在整个P型光电导层14中搀入砷，以便增加粘度和减低结晶速度。如在美国专利第3，800，194号中所公开的，在这种情况下通过蒸发含有预定数量的硒和砷的化合物或者通过交替地蒸发小于100埃厚度的硒和As₂Se₃薄层来形成P型光电导层14。

上述普通类型的摄象管靶在灵敏度-靶电压特性、饱和灵敏度-靶电压特性以及暗电流的抑制方面还差得很远。不好的饱和灵敏度特性要求应用比较高的靶电压，而暗电流的增加导致重现的图象的质量降低。

美国专利第4，219，831号公开了一种通过把搀入所述P型光电导层中的砷的总量限制在2.5%至6%（按重量计算）范围内来改进灵敏度-靶电压特性、饱和灵敏度-靶电压特性以及抑制暗电流的方法。

日本专利公开（kokoku）第SHO.57-44030号公开了一种通过在P型光电导层的一定区域中（其厚度大约与由Sb₂S₃所组成的电子束射击层的厚度相同，并且与电子束射击层邻接）搀入10%至20%（按重量计算）的砷的方法来避免由Sb₂S₃构成的电子束射击层由于快速的温度变化或者在高温条件下工作而龟裂。

但是，上述普通摄象管靶的信号电流-靶电压特性在长期连续工作期间由于靶中内部电场的变化而发生变化，结果使图象质量降低。

改进信号电流-靶电压特性以便重现高质量图象一直是电视摄影机用户的一项要求。

因此，本发明的一个目的是提供一种能够消除在长期连续工作期间信号电流-靶电压特性变化的摄象管靶。

本发明用下述方法能够达到上述目的，即，提供一种包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层的摄象管靶;所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度底于8%（按重量计），第二层和第三层的砷的浓度在8%至20%（按重量计算）的范围内，而第三层的厚度在P型光电导薄膜的总厚度的5%至50%的范围内。

图1表示一种摄象管靶的截面图;

图2表示说明本发明的摄象管靶的一个实施例的截面示意图（不按比例）以及浓度分布图;

图3表示在装有图2的摄象管靶的摄象管中暗电流与所述第五层的厚度的关系的特性曲线。