[其他]矩阵寻址平板显示器无效
申请号: | 87105214 | 申请日: | 1987-07-30 |
公开(公告)号: | CN87105214A | 公开(公告)日: | 1988-03-23 |
发明(设计)人: | 查理斯·A·斯宾特;克里斯多夫·E·霍兰德 | 申请(专利权)人: | 科姆塔克国际管理公司 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 范本国 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 矩阵 寻址 平板 显示器 | ||
1、一种平板显示器它包括:
A后平板结构;
B透明的屏面结构;
C位于上述后平板结构和屏面结构之间的可单个寻址的光发生装置的矩阵阵列;
D用来激励上述阵列中选定的光发生装置的电驱动装置;以及
E与穿过上述后平板结构的上述光发生装置的每一个的独立电气连接。
2、根据权利要求1的平板显示器,其中上述可单个寻址光发生装置的矩阵阵列,包括位于上述后平板结构与屏面结构之间的一些可单个寻址阴极,以及在上述透明屏面结构处的、被上述阴极发射的电子所轰击而发出可见光的发光装置,该发光装置包括吸出电子的导电装置。
3、根据权利要求2的平板显示器,其中,所述阴极的每一个包括:
A 在所述后平板结构处有着一个或多个由所述后平板结构凸出的、间隔开的电子发射尖的导电基底;
B 位于上述电子发射尖附近的、用来产生和控制这些电子发射尖所发射的电子的导电栅极,该栅极含有可让上述电子发射尖发射的电子通过的栏孔;以及
C 把上述阴极基底与上述栅极电气地隔离开来的第一电绝缘层。
4、根据权利要求3的平板显示器,其中,所述阴极基底驱动装置被电气连接到所述阵列的阴极基底,用以单个地、按顺序激励一组第一通道中的一个所限定的阴极基底;以及上述栅极驱动装置被电气连接到上述阵列的栅极,用以单个地、按顺序激励横跨过上述第一组通路的一组第二通路中的一个所限定的栅极。
5、根据权利要求4的平板显示器,此显示器是一个彩色显示器,其中的每一个象素包括有着实体上彼此分开的基底的三个阴极。
6、根据权利要求2的平板显示器,其中,在上述阴极和所述导电装置之置的内部电极间距等于或小于在上述内部电极间隔中的电子平均自由程。
7、根据权利要求3的平板显示器,其中,所述第一电绝缘层是一层固体电介质。
8、根据权利要求1的平板显示器,其中,所述后平板结构在矩阵阵列处为半导体材料,而上述的穿过后平板结构的电气连接的每一个都是穿过上述半导体材料的导电部分。
9、根据权利要求8的平板显示器,其中,上述半导体材料是与导电部分相邻的N型材料,而上述导电部分是P型材料,这样,当一个负电位加到上述电气连接部分时,会形成使该导电部分与相邻导电部分电气隔离,从而提供了一个绝缘壁垒的反偏PN结。
10、根据权利要求8的平板显示器,其中,上述后平板结构的半导体材料是硅,而上述阴极的每一个的导电部分包括穿过上述的硅扩散的铝。
11、根据权利要求2的平板显示器,所述显示器是由彩色象素矩阵构成的彩色显示器,每一彩色象素包括三个上述的阴极。
12、一种平板显示器,它包括:
A 一个后平板结构;
B 一个透明的屏面结构;
C 一个位于上述后平板结构和屏面结构之间的可单个寻址的阴极矩阵阵列;
D 在上述透明屏面结构处的、被上述阴极发射的电子轰击而发出可见光的发光装置,此发光装置包括吸出电子的导电装置;
E 用来激励上述阵列中选定的阴极的电驱动装置;
F 在上述阴极阵列和上述导电装置之间的内部电极空间中的真空,这个真空使上述阴极阵列与导电装置之间有着电绝缘,以及
G 在上述阴极阵列和导电装置间的距离,所述距离等于或小于在内部电极空间的压强之下的电子平均自由程。
13、根据权利要求12的平板显示器,其中,上述可独立寻址的阴极的每一个包括:
A 在上述后平板结构处有着多个彼此分开的、自后平板凸起的电子发射尖的导电基底;
B 位于与上述电子发射尖附近的,用以产生和控制电子发射尖发射的电子的导电栅极,上述栅极包括可让自上述电子发射尖发射的电子通过的栏孔;以及
C 把上述阴极基底与上述栅极电气地隔离开的第一电绝缘层。
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