[发明专利]一种钛酸锶系半导体陶瓷组合物及所制造的电容器

权利要求书

1、一种钛酸锶系半导体陶瓷组合物，该组合物主要包含基本原料SrTiO₃半导电性添加剂Y₂O₃和Nb₂O₅其特征在于，所述SrTiO₃占总组成的99.8-99.2克分子%，所述Y₂O₃和Nb₂O₅各占总组成的0.1-0.4克分子%，并还包含占总组成0.01-0.1克分子%的SiO₂及0.02-0.2克分子%的MnO。

2、一种半导体陶瓷电容器，其特征在于，该电容器包括：

一个如权利要求1所述的钛酸锶系半导体陶瓷体，由SrTiO₃体系半导体陶瓷合成物制成;

第一导电层，淀积在所述半导电陶瓷体表面，所述第一导电层由主要成分为金属粉的材料制成，金属粉系选自由锌粉和铝粉组成的料组;和

第二导电层，淀积在所述第一导电层上，所述第二导电层由主要成分为铜粉的材料制成。

3、如权利要求2所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述第一和第二导电层是用烘焙法形成的。

4、如权利要求2所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述第一导电层的材料以锌为主要成分，而且含有至少一种Ag、Al和Cu金属。

5、如权利要求4所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述包含在所述第一导电层的至少一种金属是以其简单物质的形式加入的。

6、如权利要求4所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述包含在所述第一导电层的至少一种金属是以其氧化物的形式加入的。

7、如权利要求2所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述第二导电层还包含金属氧化物。