[其他]半导体陶瓷合成物和半导体陶瓷电容器

权利要求书

1、一种半导体陶瓷合成物，其特征在于，该合成物包含：

一种含SrTiO₃的基本原料；和

一种含Y₃O₃和Nb₂O₅的半导电性添加剂；

所述Y₂O₃和Nb₂O₅的含量各为所述合成物的0.1至0.4克分子%。

2、如权利要求1所述的半导体陶瓷合成物，其特征在于，该合成物还包含MnO，其含量为所述合成物的0.02至0.2克分子%。

3、如权利要求1所述的半导体陶瓷合成物，其特征在于，该合成物还包含SiO₂，其含量为0.01至0.1克分子%。

4、如权利要求2所述的半导体陶瓷合成物，其特征在于，该合成物还包含SiO₂，其含量为0.01至0.1克分子%。

5、如权利要求1所述的半导体陶瓷合成物，其特征在于，所述合成物经过烧结，使Bi出现在所述合成物的晶界上。

6、一种半导体陶瓷电容器，其特征在于，该电容器包括：

一个半导体陶瓷体，由SrTiO₃系统半导体陶瓷合成物制成;

第一导电层，淀积在所述半导电陶瓷体表面，所述第一导电层由主要成分为金属粉的材料制成，金属粉系选自由锌粉和铝粉组成的料组;和

第二导电层，淀积在所述第一导电层上，所述第二导电层由主要成分为铜粉的材料制成。

7、如权利要求6所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述第一和第二导电层是用烘焙法形成的。

8、如权利要求6所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述半导体陶瓷合成物含有含SrTiO₃的基本原料和含Y₂O₃和Nb₂O₅的半导电性添加剂，所述Y₂O₃和Nb₂O₅的含量各为所述合成物的0.1至0.4克分子%。

9、如权利要求6所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，该电容器还包含MnO，其含量为所述合成物的0.02至0.2克分子%。

10、如权利要求6所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，该电容器还包含SiO₂，其含量为所述合成物的0.01至0.1克分子%。

11、如权利要求9所述的半导体陶瓷合成物，其特征在于，该合成物还包含SiO₂，其含量为0.01至0.1克分子%。

12、如权利要求6所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述合成物经过烧结，以使Bi出现在所述合成物的晶界上。

13、如权利要求6所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述第一导电层的材料以锌为主要成分，而且含有至少一种Ag、Al和Cu金属。

14、如权利要求13所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述包含在所述第一导电层的至少一种金属是以其简单物质的形式加入的。

15、如权利要求13所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述包含在所述第一导电层的至少一种金属是以其氧化物的形式加入的。

16、如权利要求6所述的半导体陶瓷电容器，其特征在于，所述第二导电层还包含金属氧化物。

17、一种制造半导体陶瓷电容器的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

往半导电陶瓷表面涂上第一导电糊料，再烘焙所述第一导电糊料，以在所述半导电陶瓷体上形成第一导电层，所述第一导电糊料的主要成分为选自由锌粉和铝粉组成的料组的金属粉;和

往所述第一导电层表面涂上第二导电糊料，再烘焙所述第二导电糊料，以在所述第一导电层上形成第二导电层，所述第二导电糊料的主要成分为铜粉。

18、如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二导电糊料是在中性或还原性气氛中烘焙的。