[其他]半导体陶瓷组合物

权利要求书

1、一种半导体陶瓷组合物，包括：包含BaTiO₃的基体组分和包含Nb和Ce的少量组分，所述Nb和Ce的含量分别按Nb₂O₅和CeO₂计算为0.2到3.0%(摩尔)。

2、根据权利要求1的半导体陶瓷组合物，其中还含有Co，所述Co的含量按Co₃O₄计算为≤0.8%（重量）。

3、根据权利要求2的半导体陶瓷组合物，其中还含有Mn，所述Mn的含量按MnCO₃计算为≤0.25%（重量）。

4、根据权利要求3的半导体陶瓷组合物，其中还含有SiO₂，所述SiO₂的含量为≤0.25%（重量）。

5、根据权利要求1的半导体陶瓷组合物，其中还含有包含Co、Mn、SiO₂和SrTiO₃的添加物组分，所述Co和Mn的含量以Co₃O₄和MnCO₃计算分别为≤0.8%（重量）和≤0.25%（重量），所述SiO₂和SrTiO₃的含量分别为≤0.25%（重量）和0.5到20.0%（重量）。

6、根据权利要求5的半导体陶瓷组合物，其中还另外含有Y，所述Y的含量按Y₂O₃计算为0.1到3.0%（重量）。

7、根据权利要求1的半导体陶瓷组合物，其中还另外含有包含Co、Mn、SiO₂和CaTiO₃的添加物组分，所述Co和Mn的含量按Co₃O₄和MnCO₃计算分别为≤0.8%（重量）和≤0.25%（重量），所述SiO₂和CaTiO₃的含量分别为≤0.25%（重量）和0.2到15.0%（重量）。

8、根据权利要求7的半导体陶瓷组合物，其中还含有Y，所述Y的含量按Y₂O₃计算为0.1到3.0%（重量）。

9、根据权利要求2的半导体陶瓷组合物，其中还含有包含Co、Mn、SiO₂和Y的添加物组分，所述Co、Mn和Y的含量按Co₃O₄、MnCO₃和Y₂O₃计算分别为≤0.8%（重量），≤0.25%（重量）和0.1到3.0%（重量），而所述SiO₂的含量为≤0.25%（重量）。

10、根据权利要求1到9中任一项的半导体陶瓷组合物，其中所述的组合物是经压制和烧结以使其表面层成为绝缘的。

11、一种半导体陶瓷组合物，包括：

包含BaTiO₃的基体组分，

包含Nb和Ce的少量组分所述Nb和Ce的含量分别按Nb₂O₅和CeO₂计算为0.2到3.0%（摩尔），和

包含Co、Mn、SiO₂和SrTiO₃的添加物组分，所述Co和Mn的含量按Co₃O₄和MnCO₃计算分别为≤0.8%（重量）和≤0.25%（重量），所述SiO₂和SrTiO₃的含量分别为≤0.25%（重量）和0.5到20.0%（重量）。