[发明专利]锗/硅红外光学镜头(片)镀类金刚石碳膜的方法无效

专利信息
申请号: 87105946.0 申请日: 1987-12-22
公开(公告)号: CN1020158C 公开(公告)日: 1993-03-24
发明(设计)人: 李忠奇;刘成赞;李正芬;左名光;金惠忠 申请(专利权)人: 昆明物理研究所
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/40;G02B1/10
代理公司: 云南省专利事务所 代理人: 李灿
地址: 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 红外 光学 镜头 金刚石 方法
【权利要求书】:

1、一种锗/硅红外光学镜头(片)镀类金刚石碳膜的方法,该方法包括将锗/硅镜头(片)基片抛光清洗,用无水洒精清洗后,放在射频溅射机的水冷负电极台板夹具上,充入氩气,开启射频电压至600伏,用氩离子轰击基片表面使其净化,然后,将射频溅射机的真空系统抽真空至6.7×10-3帕,充入丁烷和氩气(30-50%体积比)的混合气体,开启射频高压使系统产生辉光放电,在锗/硅红外光学镜头(片)基片上便形成类金刚石薄膜,在类金刚石碳膜的沉积过程中,采用逐渐降低功率,逐渐增加气体分压和时间间断的循环方法。

2、根据权利要求1的方法,其特征在于对锗镜头(片)基片镀类金刚石碳膜的具体循环沉积方法为:

第一步:开丁烷与氩气(30-50%体积比)的混合气体阀门,当真空度降至1.2帕时,开启射频高压至2000伏,沉积镀膜5分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,停15分钟,

第二步:开启混合气体阀门,当真空度降至1.3-2.7帕时,开启射频高压至1600伏,沉积镀膜5分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,停15分钟,

第三步:开启混合气体阀门,当真空度降至2.7-4.0帕时,开启射频高压至1200伏,沉积镀膜5分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,停15分钟,

第四步:开启混合气体阀门,当真空度降至4.0-5.3帕时,开启射频高压至1000伏,沉积镀膜5分钟,停15分钟。

第五步:开启混合气体阀门,当真空度降至5.3-6.7帕时,开启射频高压至800伏,沉积镀膜5分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,最后关扩散泵,冷却30分钟停机,对真空室充气,升起钟罩,取出镜片,镀膜过程结束。

3、根据权利要求1的方法,其特征在于对于硅镜头(片)基片镀类金刚石碳膜的具体循环沉积方法为:

第一步:开丁烷与氩气(30-50%体积比)的混合气体阀门,当真空度降至1.2帕时,开启射频高压至2500伏,沉积镀膜3分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,停30分钟。

第二步:开启混合气体阀门,当真空度降至1.3-2.7帕时,开启射频高压至2100伏,沉积镀膜3分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,停30分钟,

第三步:开启混合气体阀门,当真空度降至2.7-4.0帕时,开启射频高压至1700伏,沉积镀膜3分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,停30分钟,

第四步:开启混合气体阀门,当真空度降至4.0-5.3帕时,开启射频高压至1400伏,沉积镀膜3分钟,关闭射频高压电源及混合气体阀门,最后关扩散泵,冷却30分钟停机,对真空室充气,升起钟罩,取出镜片,

镀膜过程结束。

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