[发明专利]制造含有金属组分的陶瓷制品的方法及由其制造的制品无效
申请号: | 87106039.6 | 申请日: | 1987-09-01 |
公开(公告)号: | CN1035270C | 公开(公告)日: | 1997-06-25 |
发明(设计)人: | 马克·S·纽克尔克;克利斯托弗·R·肯尼迪;罗伯特·C·肯特内尔 | 申请(专利权)人: | 兰克西敦技术公司 |
主分类号: | C22C29/12 | 分类号: | C22C29/12;C04B35/10;C04B37/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 段承恩,徐汝巽 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 含有 金属 组分 陶瓷制品 方法 制品 | ||
1.一种通过母体金属氧化制造自支承陶瓷体的方法,所说的母体金属包括铝,该方法包括下述步骤:(a)在气相氧化剂存在下把所说的母体金属加热以形成熔融的母体金属体,所说的气相氧化剂选自含氧气体、含氮气体、碳氢化合物和卤素,并使所说的熔融母体金属与所说的氧化剂在合适的温度下反应,以形成一种氧化反应产物,这种产物与所说的熔融金属体和所说的氧化剂接触并在其间扩展,(b)在所说的温度下,经所说的氧化反应产物向所说的氧化剂方向渗入含所说的熔融母体金属的熔流,这样氧化反应产物在所说的氧化剂和已形成的氧化反应产物之间的界面上连续形成,以及(c)所说的反应连续进行一段时间,以便足以产生含所说的氧化反应产物和金属组分的陶瓷体,其改进包括:
(A)把至少一种第二金属结合到所说的熔流中并如阶段(c)中的那样使所说的氧化反应继续进行,所说至少一种第二金属选自包括铜、钛、锆、铬、铁、钴和镍中;以及
(B)回收具有所说的金属组分的所说的陶瓷体,所说的金属组分包括足量的所说的至少一种第二金属,这样所说的陶瓷体的一种或多种性能至少部分地受到所说的至少一种第二金属的存在及其性质的影响,并且没有晶石或具有尖晶石基本上全在所说的氧化反应产物的初始表面上。
2.如权利要求1的方法,其中所说母体金属的氧化反应继续进行足够的时间,以相对于所说的至少一种第二金属耗尽的说熔流中的母体金属,引起一种或多种金属相的形成或富集,所说的金属相应包括所说的至少一种第二金属和所说的母体金属。
3.如权利要求1所述的方法,该方法包括使所说的至少一种第二金属与所说的母体金属在所说的加热阶段之前先合金化,从而将所说的至少一种第二金属掺入到所说的熔流中。
4.如权利要求1所述的方法,该方法包括将所说的至少一种第二金属在所说的加热阶段之前涂到所说的母体金属的一个或多个表面上来把所说的至少一种第二金属加到所说的母体金属中,从而使所说的至少一种第二金属结合到所说的熔流中。
5.如权利要求1所述的方法,其中的陶瓷体包括复合陶瓷体,并包括与所说的母体金属相邻放置填充材料体可渗透预制件,把所说的至少一种第二金属与所说的复合填充材料或所说的预制件混合,使所说的氧化反应产物长入所说的复合填充材料体中,从而所说的至少一种第二金属结合到所说的熔流中。
6.如权利要求4所述的方法,该方法包括把所说的至少一种第二金属涂敷到所说的填充材料体的一个或多个表面上,或涂敷到所说的可渗透预制制件上,从而把所说的至少一种第二金属结合到所说的熔流中。
7.如权利要求1所述的方法,其中所说的至少一种第二金属基本均匀分散遍及所说的陶瓷体中所说的金属组分中。
8.如权利要求1所述的方法,其中所说的至少一种第二金属基本上浓缩在所说的陶瓷体部分中。
9.如权利要求3,4,5和6所述的方法,其中所说的至少一种第二金属以含金属的化合物来提供,该化合物在操作条件下分解,放出所说的至少一种第二金属。
10.一种由权利要求9所述的方法制造的陶瓷体,其中金属组分的体积百分率约为1-40%。
11.一种由权利要求1或2中任一方法制造的陶瓷体,其中金属组分的体积百分率约为1-40%。
12.如权利要求2所述的方法,包括使所说的氧化反应继续一段时间,以便足以在所说的合适温度下形成所说的一个或多个金属相。
13.如权利要求2所述的方法,包括使所说的氧化反应继续一段时间,以便足以使所说的母体金属在相对于所说的至少一种第二金属所说的熔流中耗尽,以便在所说的合适的温度以下形成一个或多个金属相。
14.如权利要求1或2所述的方法,包括将一种或多种掺杂剂材料与所说的母体金属联合使用。
15.如权利要求1或2所述的方法,其中所说的气相氧化剂包括空气,所说的氧化反应产物包括氧化铝。
16.如权利要求1所述的方法,进一步包括至少一种掺杂剂材料,该掺杂剂材料或者合金化于所说的母体金属的外表面或与其接触,所说的至少一种掺杂剂材料包括选自镁、锌、硅、钠、锗、锡、铅、锂、钙、硼、磷、钇、铈、镧、镨、钕和钐中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰克西敦技术公司,未经兰克西敦技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/87106039.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。