[其他]化学汽相淀积装置无效
申请号: | 87106283 | 申请日: | 1987-09-09 |
公开(公告)号: | CN87106283A | 公开(公告)日: | 1988-03-23 |
发明(设计)人: | 高山徹;犬岛;尾高政一;林茂则;広濑直樹 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48;C23C16/34 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 杨松坚 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 汽相淀积 装置 | ||
1、一种光化增强CVD装置,包括:
一个反应室;
一个至少装有一个底物的底物支持器;
在上述反应室内至少有一个光源,用以照射装在所述底物支持器上的底物;
转动所述底物支持器的驱动装置;
反应气体引入装置;以及
抽空装置。
2、根据权利要求1所述装置,其中所述底物支持器被多个所述光源包围。
3、根据权利要求2所述装置,其中所述光源排列在环状板上,所述支持器围绕其中心旋转。
4、根据权利要求3所述装置,其中所述光源以固定的角度距离彼此隔开配置。
5、根据权利要求3所述装置,其中所述底物支持器的旋转轴垂直于所述环形板。
6、根据权利要求5所述装置,其中所述底物支持器呈圆筒形。
7、根据权利要求6所述装置,其中所述底物支持器呈棱柱体。
8、根据权利要求7所述装置,其中所述底物支持器有六个侧面,其面上装有底物。
9、根据权利要求7所述装置,其中所述底物支持器的侧面数大于12。
10、根据权利要求6所述装置,其中所述光源从所述圆筒形底物支持器的轴向延伸形成一灯泡。
11、一种光化增强CVD装置,包括:
一个反应室;
一个至少装有一个底物的底物支持器;
在所述反应室内至少有一个光源,用以照射装在所述底物支持器上的底物;
反应气体引入装置;以及
抽空装置,
所述装置特征在于,所述光源安装在密闭的透明管内。
12、根据权利要求11所述装置,其中所述光源是汞灯。
13、根据权利要求11所述装置,还包括使冷却气体通过所述透明管循环的系统。
14、根据权利要求13所述装置,其中所述冷却气体是氮气。
15、根据权利要求13所述装置,其中所述管是石英管,其一端是封闭的,另一端与所述循环系统相连接。
16、一种等离子体增强CVD装置,包括:
一个反应室;
一个至少装有一个底物的底物支持器;
一对用以在所述反应室内放电的电极;
转动所述底物支持器的驱动装置;
反应气体引入装置;以及
抽空装置。
17、根据权利要求16所述装置,其中所述底物支持器被所述电极之一所包围。
18、根据权利要求17所述装置,其中所述电极为圆筒形金属网。
19、根据权利要求18所述装置,还包括在所述底物支持器周围设置光源。
20、根据权利要求19所述装置,其中所述电极之一配置在所述反应室和底物支持器之间。
21、根据权利要求20所述装置,其中另一电极是所述底物支持器。
22、根据权利要求19所述装置,其中所述底物支持器的侧面数大于12。
23、一种制造半导体装置的方法,包括下述步骤:
至少将一个底物引进CVD装置的反应室;
用光化增强CVD在所述底物上沉积第一层薄膜;
用等离子体CVD在所述第一层薄膜上沉积第二层薄膜;
从所述反应室取出所述底物;
用侵蚀法除去所述反应室内沉积的不需要产物。
24、根据权利要求23所述方法,其中所述光化增强CVD按下述反应式进行:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的