[其他]化学汽相淀积装置无效

专利信息
申请号: 87106283 申请日: 1987-09-09
公开(公告)号: CN87106283A 公开(公告)日: 1988-03-23
发明(设计)人: 高山徹;犬岛;尾高政一;林茂则;広濑直樹 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/48 分类号: C23C16/48;C23C16/34
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 杨松坚
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 化学 汽相淀积 装置
【权利要求书】:

1、一种光化增强CVD装置,包括:

一个反应室;

一个至少装有一个底物的底物支持器;

在上述反应室内至少有一个光源,用以照射装在所述底物支持器上的底物;

转动所述底物支持器的驱动装置;

反应气体引入装置;以及

抽空装置。

2、根据权利要求1所述装置,其中所述底物支持器被多个所述光源包围。

3、根据权利要求2所述装置,其中所述光源排列在环状板上,所述支持器围绕其中心旋转。

4、根据权利要求3所述装置,其中所述光源以固定的角度距离彼此隔开配置。

5、根据权利要求3所述装置,其中所述底物支持器的旋转轴垂直于所述环形板。

6、根据权利要求5所述装置,其中所述底物支持器呈圆筒形。

7、根据权利要求6所述装置,其中所述底物支持器呈棱柱体。

8、根据权利要求7所述装置,其中所述底物支持器有六个侧面,其面上装有底物。

9、根据权利要求7所述装置,其中所述底物支持器的侧面数大于12。

10、根据权利要求6所述装置,其中所述光源从所述圆筒形底物支持器的轴向延伸形成一灯泡。

11、一种光化增强CVD装置,包括:

一个反应室;

一个至少装有一个底物的底物支持器;

在所述反应室内至少有一个光源,用以照射装在所述底物支持器上的底物;

反应气体引入装置;以及

抽空装置,

所述装置特征在于,所述光源安装在密闭的透明管内。

12、根据权利要求11所述装置,其中所述光源是汞灯。

13、根据权利要求11所述装置,还包括使冷却气体通过所述透明管循环的系统。

14、根据权利要求13所述装置,其中所述冷却气体是氮气。

15、根据权利要求13所述装置,其中所述管是石英管,其一端是封闭的,另一端与所述循环系统相连接。

16、一种等离子体增强CVD装置,包括:

一个反应室;

一个至少装有一个底物的底物支持器;

一对用以在所述反应室内放电的电极;

转动所述底物支持器的驱动装置;

反应气体引入装置;以及

抽空装置。

17、根据权利要求16所述装置,其中所述底物支持器被所述电极之一所包围。

18、根据权利要求17所述装置,其中所述电极为圆筒形金属网。

19、根据权利要求18所述装置,还包括在所述底物支持器周围设置光源。

20、根据权利要求19所述装置,其中所述电极之一配置在所述反应室和底物支持器之间。

21、根据权利要求20所述装置,其中另一电极是所述底物支持器。

22、根据权利要求19所述装置,其中所述底物支持器的侧面数大于12。

23、一种制造半导体装置的方法,包括下述步骤:

至少将一个底物引进CVD装置的反应室;

用光化增强CVD在所述底物上沉积第一层薄膜;

用等离子体CVD在所述第一层薄膜上沉积第二层薄膜;

从所述反应室取出所述底物;

用侵蚀法除去所述反应室内沉积的不需要产物。

24、根据权利要求23所述方法,其中所述光化增强CVD按下述反应式进行:

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