[其他]自支撑陶瓷结构及其制作方法

权利要求书

1、生产自支撑陶瓷结构的方法包括如下步骤；

(a)提供一次自支撑陶瓷体，它包括(i)根据一次熔融母体金属和一次氧化剂氧化形成的一次多晶氧化反应产物，(ii)至少可从上述陶瓷体的一个或多个表面部分接近的相通孔隙；

(b)二次母体金属体及上述一次陶瓷体的相互相对取向，以使上述二次母体金属与二次气相氧化剂的熔化和氧化的反应能在朝着并进入上述一次陶瓷体的相通孔隙的方向进行，导致二次多晶氧化反应产物的形成；

c)加热上述二次母体金属到高于其熔点但低于一次及二次氧化反应产物两者的熔点的温度区，并在上述温度范围内形成熔融二次母体金属体；

(i)将上述二次熔融母体金属，与上述气相氧化剂反应，以形成上述二次氧化反应产物多晶材料；

(ii)至少保持上述部分二次氧化反应产物与熔融二次母体金属及上述氧化剂相接触，并处在他们之间，由此，二次母体金属通过上述二次多晶材料流向氧化剂，以使二次氧化反应产物继续在氧化剂及先前所形成的二次氧化反应产物之间的界面上形成，

(iii)继续上述反应到一段足够长的时间，使上述二次多晶材料至少渗入上述一次陶瓷体的上述孔隙的一部分中去。

2、在生产包含有由一种或两种母体金属和氧化剂产生的氧化反应产物那样的多晶材料的自支撑陶瓷结构的方法中，包括如下的步骤：（a）加热一次母体金属以形成熔融母体金属体。同时将上述一次熔融母体金属和一次氧化剂，在某一温度下反应，以形成一次氧化反应产物;保持上述一次氧化反应产物与上述一次熔融母体金属体及上述氧化剂相接触，并在它们之间延伸，（b）保持上述温度以连续不断地将熔融金属，通过上述一次氧化反应产物流向上述的氧化剂，以使一次氧化反应产物连续在氧化剂及先前形成的一次氧化反应产物的界面上形成，（c）继续上述反应到一段足够长的时间以生产一次自支撑陶瓷体，它是由含有上述一次氧化反应产物的孔隙及一种或两种金属成份中的一种或两种多晶材料组成，其改进包括;（1）通过合适控制（a）及（b）步骤的条件，或者是通过随后处理的办法，来给一次多晶材料提供选定好的孔隙，（2）在步骤（1）进行完之后，二次母体金属及上述一次多晶材料的相互相对取向，以使二次多晶氧化反应产物，在朝着上述一次多晶材料的孔隙的方向出现并进入其中;用二次气相氧化剂，对二次母体金属及一次多晶材料，重复工艺过程（a），（b）及（c）步骤;以形成二次反应产物;继续这种重复的反应到一段足够的时间，以使上述二次氧化反应产物，至少渗入到上述一次多晶材料的部分孔隙中，在那里形成上述陶瓷结构。

3、权利要求1或权利要求2的方法，包括通过上述一次陶瓷体的第一区渗入它的上述孔隙，同时留下不含有上述二次多晶材料的上述一次陶瓷体的第二区。

4、权利要求1或权利要求2的方法，包括在上述一次陶瓷体内，嵌入一块具有渗透性的填料。

5、权利要求4中，所述的具有渗透性的填料是一个预先确定了形状的预型坯，并且在上述预型坯中的所述渗入作用，生产了具有所述预型坯形状的陶瓷混合体那样的所述的一次陶瓷体。

6、权利要求1或权利要求2方法中所述的用于氧化上述一次母体金属的氧化剂，是一种和用于氧化上述二次母体金属不同的氧化剂，

7、权利要求1方法中的母体金属，选自于铝、钛、锡、锆以及铪。

8、在权利要求1或权利要求2方法中所述的一次母体金属及所述的二次母体金属，每一个都包含铝母体金属。

9、权利要求1或权利要求2方法中所述的二次气相氧化剂是空气。

10、在权利要求1或权利要求2方法中所述一次氧化剂及所述二次氧化剂两者都包含有空气。

11、权利要求1或权利要求2的方法，包括一起使用掺杂材料及上述一次母体金属和上述二次母体金属之中的一个或两者。

12、权利要求1或权利要求2的方法中，一次及二次金属两者均为铝母体金属，一次及二次多晶氧化反应产品两者基本上均是氧化铝。

13、权利要求1或权利要求2的方法中，一次陶瓷体的孔隙，在所述二次多晶材料渗入一次陶瓷体孔隙前，是处在大约5（体积）%～45（体积）%～45（体积）%的一次陶瓷体之间。