[发明专利]薄固体膜片组成的层状结构的局部混合

权利要求书

1、一种局部混合多层半导体结构的方法，所述结构至少具有两个结构层，且包括交替的量子阱层和阻挡层，其特征于，该方法包括下列步骤：

(甲)提供一种多层半导体结构，各层的厚度在大约5至500埃的范围内，且所述结构至少有一个表面层是敞露着的；

(乙)用一种适宜提供足以使诸交替层之间混合的能量通量的能源，照射所述多层半导体结构敞露着的表面层的局部区域，其中所说的能源选自脉冲激光束，快速扫描激光束，脉冲电子束，快速扫描电子束以及它们的组合能源；

(丙)回收局部混合过的半导体产品结构，所述结构的特征是具有在光学和/或电子性能上与原半导体结构不同的局部横向和/或纵向区域。

2、如权利要求1所述的方法，其中所述半导体结构包括一合成超晶格结构。

3、如权利要求1所述的方法，其中所述量子阱层基本上由砷化镓组成。

4、如权利要求3所述的方法，其中所述阻挡层基本上由化学式为Al_XGa_1-XAs的砷化铝镓组成。

5、如权利要求4所述的方法，其中所述分数X选取0.3。

6、如权利要求4所述的方法，其中所述分数X选取0.2。

7、如权利要求4所述的方法，其中所述量子阱层基本上由Al_0.3Ga_0.7As组成。

8、如权利要求7所述的方法，其中所述混合过的半导体产品结构的选择区域基本上由Al_0.15Ga_0.85As组成。

9、如权利要求3所述的方法，其中所述量子阱层的厚度在大约30至150埃的范围内。

10、如权利要求4所述的方法，其中所述阻挡层的厚度约在30至150埃的范围内。

11、如权利要求10所述的方法，其中所述阻挡层的厚度约为100埃。

12、如权利要求4所述的方法，其中所述多层半导体结构是在大约0℃至150℃温度范围内提供的。

13、如权利要求1所述的方法，其中所述多层半导体结构是在大体上室温和常压条件下提供的。

14、如权利要求1所述的方法，其中所述能源是个激态基态复合物激光束。

15、如权利要求14所述的方法，其中所述激态基态复合物激光束是一个波长为248毫微米的氟化氪激光束。

16、如权利要求1所述的方法，其中所述能源包括脉冲激光束的单脉冲。

17、如权利要求1所述的方法，其中所述能源包括脉冲激光束的多脉冲。

18、如权利要求7所述的方法，其中所述能源包括脉冲氟化氪激光束的单脉冲，所述脉冲的停留时间约在10至30毫微秒范围内，能量密度约在100至400毫焦/平方厘米范围内。

19、一种包括至少两层的半导体结构的产品，其特征在于具有局部横向和/或纵向区域，其中使其组成各不相同，至少是部分组分不相同的邻接层混合，从而形成复合材料的特性，此种特性与未混合层相比，具有独特地变化了的光学和/或电子性能，所述的局部区域是通过用适合于进行所述混合的能源来照射所述区域形成，所述能源选自脉冲激光束，快速扫描激光束，脉冲电子束，快速扫描电子束以及它们的组合能源。

20、如权利要求19所述的产品，其中所述能源是个激态基态复合物激光束。

21、如权利要求19所述的产品，其中所述能源包括脉冲激光束的单脉冲。

22、如权利要求19所述的产品，其中所述能源包括脉冲激光束的多脉冲。

23、如权利要求19所述的产品，其中的半导体结构包括两层结构，该结构是单异质结构。

24、如权利要求19所述的产品，其中的半导体结构包括三层结构，该结构是双异质结构。

25、如权利要求19所述的产品，其中的半导体结构交替层中的物质含杂质原子，以提供一种掺杂超晶格。