[其他]分离磁体式平面磁控溅射源无效
| 申请号： | 87106947 | 申请日： | 1987-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1003655B | 公开（公告）日： | 1989-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王德苗;任高潮 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 磁体 平面 磁控溅射 | ||
【权利要求书】：
1、一种分离磁体式平面磁控溅射源，包括磁场源、溅射靶及水冷器，其特征在于：
-所述的磁场源由固定的环状外磁组件2和一个或多个可作旋转运动的内磁组件1构成，其中，内磁组件1包括极靴1″′、外磁体1′和内磁体1″。
-内磁组件1设置于水冷器中，且冷却水优先进入内磁组件腔Ⅲ，并从内磁组件1的上部溢出。
2、根据权利要求1的磁控溅射源，其特征在于：内磁组件1的极靴1″′是扇状，并偏心地安装在转轴6上，其上布置有V形外磁体1′和扇形内磁体1″。
3、根据权利要求1的磁控溅射源，其特征在于：内磁组件1的极靴1″′是盘状，与转轴6同心设置，其上布置有辐射状外磁体1′和多个扇形内磁体1″。
4、根据权利要求1的磁控溅射源，其特征在于：内磁组件1的极靴1″′是盘状，与转轴6同心设置，其上布置有两个ω形外磁体1′和一个与之相匹配的内磁体1″。
5、根据权利要求1的磁控溅射源，其特征在于：水冷器的冷却水自进水管14引入，经过水腔Ⅰ、转轴6的中心深孔及水腔Ⅱ，进入内磁组件腔Ⅲ，并从其上部溢出到水腔Ⅳ，由铜质出水管16引出。
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