[发明专利]通过控制硅的制造来改善直接工艺性能的一种方法无效

申请号：	87107397.8	申请日：	1987-12-12
公开（公告）号：	CN1014506B	公开（公告）日：	1991-10-30
发明（设计）人：	罗兰德·利·哈姆;奥利沃·K·威尔丁格	申请（专利权）人：	陶氏康宁公司
主分类号：	C01B33/107	分类号：	C01B33/107
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利代理部	代理人：	全菁,吴大建
地址：	美国密***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	通过控制制造改善直接工艺性能一种方法
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【权利要求书】：

1、一种改善烷基卤硅烷的制造工艺的方法，该工艺包括，在有锡或锡化合物，和铜或铜化合物，其中至少还有磷助触媒(它占反应物料中硅的25～2500ppm)存在的情况下，在250℃～350℃的温度条件下，使烷基卤与硅接触；其特征在于通过在提纯硅时在硅料中掺入一种不挥发的磷化合物的方法来控制硅中磷助触媒的含量。

2、按照权利要求1要求的方法，其中掺入的磷化合物已处在还原态。

3、按照权利要求2要求的方法，其中还原态磷化合物是磷化物。

4、按照权利要求3要求的方法，其中磷化物是磷化铜。

5、按照权利要求3要求的方法，其中磷化物是磷化铜。

6、按照权利要求3要求的方法，其中磷化物是磷化铝。

7、按照权利要求3要求的方法，其中磷化物是磷化铁。

8、按照权利要求1要求的方法，其中除了硅、锡或锡化合物，铜或铜化合物和磷化合物外，还有锌或锌化物。

9、按照权利要求1要求的方法，其中在硅熔炼后但尚未提纯时，把不挥发的磷化合物添加到熔融的硅中。

10、按照权利要求1要求的方法，其中在硅被提纯后，把不挥发的磷化合物添加到熔融的硅中。

11、按照权利要求1要求的方法，其中在提纯期间，把不挥发的磷化合物添加到熔融的硅中。

12、按照权利要求1要求的方法，其中用投入NaCl来实现提纯

13、按照权利要求1要求的方法，其中用空气来实现提纯。