[发明专利]电子装置的抗过载保护电路无效
申请号: | 87107404.4 | 申请日: | 1987-12-12 |
公开(公告)号: | CN1007770B | 公开(公告)日: | 1990-04-25 |
发明(设计)人: | 马丁·布拉姆斯 | 申请(专利权)人: | 电缆金属电气有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H3/08 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,吴秉芬 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 过载 保护 电路 | ||
1、用于直流电源供电的电子装置抗过载保护电路,该装置安装于以数字信号形式传输通讯信号的用户线的始端或终端,其特征在于,-在直流电源(UB)和用户线(ASL)之间,与欧姆电阻(R1)串联地接入一个有源的限流组件(4),该限流组件(4)的电流通过限度取决于电阻(R1)上压降的大小,而且可以调节,-限流组件(4)接有一个转换电压发生器(K),由于转换电压发生器,组件(4)在用户线过载时,可以周期地按照一个可以调整的时间截止和导通。
2、根据权利要求1所述的电路,其特征在于,限流组件(4)中装有一个晶体管(T1),其控制极与转换电压发生器(K)的输出端经过二极管(D3)相连。
3、根据权利要求1或2所述的电路,其特征在于,在晶体管(T1)的控制极上接有一个运算放大器(OP1)的输出端,运算放大器的一个输入端(01)接在并联于直流电压源(UB)的分压器(R2,R3和R4)上,另一个输入端(02)接在晶体管(T1)和与晶体管(T1)串联的欧姆电阻(R1)之间。
4、根据权利要求1的电路,其特征在于,转换电压发生器(K)的一个输入端(E1)与限流组件(4)相连。
5、根据权利要求1或2的电路,其特征在于,转换电压发生器(K)具有一个运算放大器(OP2),运算放大器的输出端经过二极管(D3)与晶体管(T1)的控制极相连,运算放大器的一个输入端(03)接在与直流电压源(UB)并联的分压器(R2,R3,R4)上,另一个输入端(04)经过二极管(D1)与限流组件(4)相连,同时,也经过电容器(C)与直流电压源(UB)的一个极相连;并且在运算放大器处,输入端(04)和输出端一方面经过一个由二极管(D2)和电阻(R7)组成的串联电路、另一方面经过与串联电路并联的电阻(R8),彼此连结在一起。
6、根据权利要求2的电路,其特征在于,晶体管(T1)是金属氧化物半导体场效应晶体管,即莫斯管(MOSFET)。
7、根据权利要求2的电路,其特征在于,晶体管(T1)是双极晶体管。
8、根据权利要求2的电路,其特征在于,晶体管(T1)是场效应晶体管。
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