[发明专利]具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件

权利要求书

1、一种包括带隙渐变半导体层区的半导体器件，所述层区处在迭置在基片上的含P型非单晶硅半导体材料的P型半导体层区和含n型非单晶硅半导体材料的n型半导体层区之间，所述带隙渐变半导体层区与所述p型半导体层区和所述n型半导体层区构成一个结。

所述带隙渐变半导体层区包括包含作为主组分的硅原子、带隙调节原子及原子百分比为1-60作为降低定域能级的氢原子或卤素原子的非单晶半导体材料，所述带隙渐变半导体层区有一个区域，其中带隙在结以外的位置上连续变化，所述带隙渐变半导体层区具有一导带和一价带，价带和导带中只有一个是连续渐变的。

2、如权利要求1的器件，其中所述带隙调节原子是从包括碳、氮和氧原子的组中选出的至少一种带隙增宽原子。

3、如权利要求1的器件，其中所述带隙调节原子是从包括锗和锡原子的组中选出的至少一种带隙变窄原子。

4、如权利要求1的器件，其中所述带隙渐变区包含一种掺杂剂。

5、如权利要求4的器件，其中所述掺杂物选自B、Al、Ga、Zn和Tl。

6、如权利要求4的器件，其中所述掺杂物选自P、As、Sb和Bi。

7、如权利要求1的器件，其中带隙连续变化并在光照射到的一侧变宽。

8、一种半导体器件，它包括迭置在衬底上的n型半导体层区和p型半导体层区，二层区在其之间形成结，所述p型半导体层区包括包含作为主组分的硅原子的p型非单晶半导体材料，所述n型半导体层区包括包含作为主组分的硅原子的n型非单晶半导体材料，其中所述n型半导体层区和p型半导体层区之一包括一带隙渐变半导体层区，该层区包括进一步包含掺杂原子、带隙调节原子及作为降低定域能级的原子百分比为1-60的氢原子或卤素原子的非单晶半导体材料，所述带隙渐变半导体层区具有一个结以外的区，在其中带隙连续渐变并在光照射到的一侧变宽，所述带隙渐变半导体层区有一导带和一禁带，导体和禁带中只有一个是连续渐变的。

9、如权利要求8的器件，其中所述带隙调节原子是从碳、氮和氧原子中选出的一或多种带隙展宽原子。

10、如权利要求8的器件，其中所述带隙调节原子是从锗和锡中选出的一或多种带隙减小原子。