[其他]半导体器件的制造方法无效
申请号: | 87107692 | 申请日: | 1987-11-06 |
公开(公告)号: | CN87107692A | 公开(公告)日: | 1988-05-25 |
发明(设计)人: | 威廉N·博尔斯脱;斯查德利A·马库斯;林肯·耶 | 申请(专利权)人: | MT化学公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/52 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 张绮霞 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1、一种将小片连结在衬底上的方法,其特征在于所述的方法,包括下述步骤:
(a)将粘结量的聚合物型粘合剂组合物施加到衬底上;
(b)然后将所说的粘合剂组合物加热到使粘合剂活化的程度;和
(c)使活化粘合剂与小片接触,由此将所说小片连接到衬底上。
2、根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的粘合剂组合物为糊状形式。
3、根据权利要求2所述的方法,其特征在于所说粘合剂组合物被加热至约175℃至350℃的温度。
4、根据权利要求3所述的方法,其特征在于所说的糊状粘合剂包括热固性聚合物组分。
5、根据权利要求4所述的方法,其特征在于糊状粘合剂中的热固性聚合物组分包括环氧树脂或顺丁烯二酰亚胺树脂。
6、根据权利要求2所述的方法,其特征在于所说糊状粘合剂包括热塑性聚合物组分。
7、根据权利要求6所述的方法,其特征在于所说糊状粘合剂中的热塑性聚合物是热塑性聚酰亚胺。
8、根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于所说糊状粘合剂约被加热至50℃-200℃,以进行活化。
9、根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的粘合剂为膜状或带子的形式。
10、根据权利要求9所述的方法,其特征在于所说粘合剂约被加热至175℃-350℃。
11、根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说衬底包括一个金属引线框。
12、根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说衬底包括一个陶瓷衬底。
13、根据权利要求12所述的方法,其特征在于所说衬底包括一个陶瓷混合衬底。
14、根据权利要求12所述的方法,其特征在于所说衬底包括一个陶瓷壳体(package)。
15、根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说衬底包括一个电路板。
16、根据权利要求2所述的方法,其特征在于所说粘合剂组合物包括:
5-15%树脂;25-95%填料;0-50%溶剂。
17、根据权利要求6所述的方法,其特征在于所说粘合剂组合物包括:
5-85%热塑性树脂;25-75%填料;20-50%溶剂。
18、根据权利要求17所述的方法,其特征在于所说填料包括一种导电性填料。
19、根据权利要求18所述的方法,其特征在于所说导电性填料是选自由银、金、钯、铱、汞、钌、锇以及它们的混合物或合金所组成的类别中的任一种金属。
20、根据权利要求17所述的方法,其特征在于所说填料包括一种热导性填料。
21、根据权利要求20所述的方法,其特征在于所说热导性填料是氧化铍。
22、根据权利要求20所述的方法,其特征在于所说的热导性填料是氧化铝。
23、根据权利要求1所述的方法,其特征在于由衬底、粘合剂和小片所构成的组件被进一步加热。
24、根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说方法以连续的方式进行。
25、一种将小片连结在金属引线框中的方法,其特征在于所说的方法包括:
(a)将粘结量的糊状热塑性聚合物型粘合剂组合物置于引线框的垫板上;
(b)然后将粘合剂组合物加热至约50℃至200℃的温度,使粘合剂活化;
(c)将小片放到活化的粘合剂上;和
(d)也可再进一步对引线框、粘合剂和小片所构成的组件进行加热,由此使小片粘结在引线框上。
26、根据权利要求25所述的方法,其特征在于所说的方法以连续方式进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造