[发明专利]多层莫来石陶瓷基片及其生产方法无效
| 申请号： | 87108030.3 | 申请日： | 1987-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1006356B | 公开（公告）日： | 1990-01-03 |
| 发明（设计）人： | 石原昌作;藤田毅;黑木乔;槌田诚一;户田尧三 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,肖掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 莫来石 陶瓷 及其 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种多层莫来石陶瓷基片包括：一个由莫来石作为主要成分所组成的多层基片、在该基片上形成的布线导体，以及一层在该布线导体上形成的镀膜层，其特征在于，该镀膜层是由按重量计的98.0至99.99%的Ni和按重量计的2.0至0.01%的B组成，镀膜层的厚度不超过8.0微米，而且该基片经过温度为600至1，000℃的热处理，从而将布线导体的充分粘附力传递到镀膜层。
2、根据权利要求1的基片，其特征在于：所述多层基片是从作为烧结剂的、由按重量计的50%至95%的莫来石粉以及按重量计的50%至5%的细的堇青石和二氧化硅粉组成的陶瓷粉而制成的。
3、一种制造权利要求1所说的多层莫来石陶瓷基片的方法，该方法包括：制备一种由莫来石作为主要成分所组成的多层基片、在该基片上形成布线导体，以及在该布线导体上形成一层镀膜层，其特征在于，该方法进一步包括该镀膜层是由按重量计的98.0至99.99%的Ni和按重量计的2.0至0.01%的B组成，镀膜层的厚度不超过8.0微米，而且该基片经过温度为600至1，000℃的热处理，从而将布线导体的充分粘附力传递到该镀膜层。
4、根据权利要求3的方法，其特征在于：所述多层基片是从作为烧结剂的、由按重量计的50%至95%的莫来石粉以及按重量计的50%至5%的细的堇青石和二氧化硅粉组成的陶瓷粉而制成的。
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