[其他]莫来石陶瓷多层基片及其生产方法无效

专利信息
申请号: 87108030 申请日: 1987-11-25
公开(公告)号: CN87108030A 公开(公告)日: 1988-06-29
发明(设计)人: 石原昌作;藤田毅;黑木乔;槌田诚一;户田尧三 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/22
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 何耀煌,肖掬昌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 莫来石 陶瓷 多层 及其 生产 方法
【权利要求书】:

1、一种莫来石陶瓷多层基片,其特征在于包括:

-由莫来石作为主要成份而构成的多层基片,

-在该基片上所形成的各布线导体,和

-在所述各布线导体上所形成的、由镍和硼组成的镀膜层。

2、根据权项1的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:其中在所述镀膜层上进一步形成金镀膜层。

3、根据权项1的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:其中镀膜层是用化学镀方法形成的。

4、根据权项1的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:在该基片的两个表面上形成各布线导体,并且在各布线导体上均形成镀膜层。

5、根据权项1的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:其中镀膜层由按重量计的98%至99.99%的镍和按重量计的2.0%至0.01%的硼组成。

6、根据权项1的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:其中镀膜层具有不大于8微米的厚度。

7、根据权项5的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:其中镀膜层具有不大于8微米的厚度。

8、根据权项1的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:其中在不高于1000℃的温度下对所述基片进行热处理,从而导致布线导体对镀膜层的充分的粘合力。

9、根据权项7的莫来石陶瓷多层基片,其特征在于:其中在不高于1000℃的温度下对所述基片进行热处理,从而导致布线导体对镀膜层的充分的粘合力。

10、一种用于生产莫来石陶瓷多层基片的方法,其特征在于包括:

-制备由莫来石作为主要成份而组成的多层基片,

-在该基片上形成各布线导体,

-在所述各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层。

11、根据权项10的方法,其特征在于:在所述镀层上进一步形成金镀膜层。

12、根据权项10的方法,其特征在于:所述镀膜层是用化学镀方法形成的。

13、根据权项10的方法,其特征在于:其中所述镀膜层由按重量计的98.0%至99.99%的镍和按照重量计的2.0%至0.01%的硼组成。

14、根据权项10的方法,其特征在于:所述镀膜层具有不大于8.0微米的厚度。

15、根据权项13的方法,其特征在于:所述镀膜层具有不大于8.0微米的厚度。

16、根据权项10的方法,其特征在于:在不高于1000℃的温度下对所述基片进行热处理,从而导致所述各布线导体对所述镀膜层的充分的粘合力。

17、根据权项15的方法,其特征在于:在不高于1000℃的温度下对所述基片进行热处理,从而导致所述各布线导体对所述镀膜层的充分的粘合力。

18、根据权项10的方法,其特征在于:所述多层基片是从作为烧结剂的、由按重量计的50%至95%的莫来石粉以及按重量计的50%至5%的细的堇青石和二氧化硅粉组成的陶瓷粉而制成的。

19、根据权项10的方法,其特征在于:所述多层基片是通过把在各相应表面上具有某一布线图案的各生坯片彼此迭在一起,对这些生坯片在加热条件下施加某压力,从而形成叠层结构,然后烧制所述叠层结构而制成的。

20、根据权项10的方法,其特征在于:各生坯片各自备有一些通孔以及填入这些通孔中的软膏。

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