[其他]半导体装置无效
申请号: | 87108326 | 申请日: | 1987-12-31 |
公开(公告)号: | CN87108326A | 公开(公告)日: | 1988-07-20 |
发明(设计)人: | 板鼻博;薄井义典;坪井孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 吴淑芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1、一种半导体装置,其特征在于,第一和第二半导体元件交替排列;
多个冷却构件布置在组成一对的相邻的第一和第二半导体元件之间、用于冷却所述半导体元件及将所述元件彼此电气相连;以及
至少有一根连接导线至少连接反并联连接件中所述第一半导体元件中的一个元件以及至少连接所述第二半导体元件中的一个元件并将多个所述反并联连接件串联连接起来。
2、如权利要求1所述的一种半导体装置,其特征在于,所述第一和第二半导体元件带上最大负载的时间点不同。
3、如权利要求1所述的一种半导体装置,其特征在于,所述冷却构件在其内部包含能被相邻半导体元件产生的热量蒸发而汽化从而冷却所述相邻半导体元件的冷却媒剂。
4、如权利要求1所述的一种半导体装置,其特征在于,所述冷却构件具有短于所述第一和第二半导体元件带有负载的时间的热时间常数。
5、如权利要求1所述的一种半导体装置,其特征在于,所述半导体器件是一种转换器电路,其中,所述第一和第二半导体元件分别由控制极关断的可控硅和二极管构成。
6、如权利要求1所述的一种半导体装置,其特征在于,在位于所述第一和第二半导体元件的交替阵列两端的半导体元件的外侧,分别装有附加的冷却构件。
7、一种半导体装置,其特征在于,它包括多个半导体电路,其中由第一和第二半导体元件组成的多个反并联连接件彼此相互串联,
所述半导体电路每个包括:
交替排列的第一和第二半导体元件;
布置在相邻且组成一对的第一和第二半导体元件之间、用于冷却所述半导体元件以及将所述元件在电气上连接起来的多个冷却构件;以及
用于在一个反并联连接件中将至少一只所述第一半导体元件和至少只所述第二半导体元件连接起来和将多个所述反并联连接件串接的至少一根连接导线;
在那里,所述半导体电路通过安插其间的附加冷却构件彼此邻接,所述附加冷却构件一端设置所述第一半导体元件而另一端设置所述第二半导体元件。
8、如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述第一和第二半导体元件带上最大负载的时间点不同。
9、如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述冷却构件在其内部包含了能被相邻半导体元件产生的热量蒸发而汽化从而冷却所述相邻半导体元件的冷却媒剂。
10、如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述冷却构件具有短于所述第一和第二半导体元件带有负载的时间的热时间常数。
11、如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置是一种转换器电路,其中,所述第一和第二半导体元件分别由控制极关断的可控硅和二极管构成。
12、如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,在位于所述第一和第二半导体元件的交替阵列两端的半导体元件的外侧,分别装有附加的冷却构件。
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