[其他]徽型玻璃封装温度补偿二极管无效
申请号: | 87201554 | 申请日: | 1987-05-20 |
公开(公告)号: | CN87201554U | 公开(公告)日: | 1988-06-22 |
发明(设计)人: | 刘复康 | 申请(专利权)人: | 威海市无线电二厂 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L23/08 |
代理公司: | 烟台市专利事务所 | 代理人: | 郭守江 |
地址: | 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃封装 温度 补偿 二极管 | ||
本实用新型属半导体器件,更详细的讲是一种录音机作稳速用的微型玻璃封装温度补偿二极管。
录音机电机若没有稳速装置,电机的转速将随环境温度的变化而改变,这对录音机来说是绝对不允许的,当录音机电机采用二极管给以温度补偿时,而其转速相对稳定。目前国外生产的这种二极管在工艺上采用合金法外,外壳采用半封密性的塑料封装。在成批生产这种二极管的过程中劳动效率低、一致性难以保证,由于采用塑料外壳封装易受环境变化的影响、热敏性能差,由于以上原因限制了录音机电机的使用寿命。
本实用新型的目的在于提供一种能够克服上述缺点,适合录音机电机作稳速用的二极管。
本实用新型是这样实现的,在管芯的金属电极上生长氮化硅或磷硅玻璃钝化层,并进行选择电镀银或金,以达到二极管的稳定、可靠性,使芯片便于分割成单个芯片。
本实用新型为了满足稳定电压和良好的热稳定性能,根据外壳的尺寸,采用420×420平方微米至460×460平方微米范围之内的P-H结面积和410×410平方微米至450×450平方微米范围内的引线孔面积。
本实用新型将两个管芯串联的装入玻璃壳内,再在玻璃壳两端装入引线,然后进行烧结形成微型玻璃封装温度补偿二极管。
本实用新型发明人已小批量生产,并在实践中应用,实践证明采用本生产过程适合二极管的大批量生产,生产效率高,产品一致性好。录音机电机应用本实用新型后,由于采用玻璃壳封装,受环境影响小、热敏性能好,能较稳定的保证录音机电机转速的相对稳定。由于本实用新型的稳定性、可靠性高,也提高了录音机电机的使用寿命。
本实用新型具有性能好、工艺先进、结构紧凑、成本低的特点,并可以节约大量的外汇。
附图说明:
图1本实用新型的单个管芯结构示意图。
其 中:
1——硅片衬底
2——硅外延层
3——二氧化硅
4——P-N结面积
5——引线孔面积
6——蒸钛
7——蒸金
8——氮化硅或磷硅玻璃层
9——电镀窗口
10——电镀银
11——蒸镍
12——蒸银
13——电镀银
图2本实用新型的结构示意图。
其 中:
14——玻璃壳
15——两个串联管芯
16——引线
17——色环
图1所示,将电阻率ρ≤10-3欧姆一厘米的衬底(1)和厚度为T=6-8微米、电阻率为ρ=0.1欧姆一厘米的外延层(2)H型硅片清洗处理;进行一次氧化和一次光刻形成的硅片的二氧化硅(3)保护膜;进行硼扩散形成了420×420平方微米至460×460平方微米范围内的P-H结面积(4),达到硼扩散浓度要求、并生长一定厚度的氧化层;进行二次光刻形成410×410平方微米至450×450平方微米范围内的引线孔面积(5);然后在专用真空蒸发台内分别对硅片正面进行蒸钛(6)和蒸金(7),达到沉积的目的;进行第三次光刻,在金属电极上生长氮化硅或磷硅玻璃层(8);通过四次光刻,刻出电镀窗口(9);进行正面电镀银,形成金属电极凸起(10);通过专用减薄机对硅片背面进行减薄,然后分别进行蒸镍(11)、蒸银(12)和电镀银(13),然后将硅大圆片在专用划片机上划片分割成单个管芯。
图2所示,在专用模具上装好玻璃壳(14),两个清洗后的管芯(15)串联放入玻璃壳(14)内,再在玻璃壳两端各装入一根引线(16),在一定温度下烧结后,玻璃壳(14)、管芯(15)、引线(16)达到全密封性封装,最后打上色环(17),形成微型玻璃封装温度补偿二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造