[其他]中子水分仪无效
| 申请号： | 87205552 | 申请日： | 1987-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN87205552U | 公开（公告）日： | 1988-01-20 |
| 发明（设计）人： | 刘元襄;陈祥;潘殿福;秦培友 | 申请（专利权）人： | 核工业部大连应用技术研究所 |
| 主分类号： | G01N23/00 | 分类号： | G01N23/00 |
| 代理公司： | 核工业部专利法律事务所 | 代理人： | 杨竹清,杜振声 |
| 地址： | 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中子 水分 | ||
【权利要求书】：
1、中子水分仪由探头[1]和主机[2]两部分组成，中间用屏蔽电缆相连接，探头[1]中装有中子源[21]和γ射线源[19]，放射源[21，19]的一侧装有闪烁体[17]，紧接着闪烁体[17]装有光电倍增管[16]，光电倍增管[16]和前置放大器[14]相连接，主机[2]中有低压电源[4]，供给光电倍增管[16]工作的高压电源[3]，主放大器[7]的输入端与前置放大器[14]的输出端相连，本实用新型的特征是闪烁体[17]选用对低能中子尤其是热中子很灵敏，对γ射线也很灵敏的锂玻璃，主放大器[7]的输出端与甄别器[8]相连接，甄别器[8]的输出端与脉冲成形器[9]的输入端相连接，脉冲成形器[9]的输出端与率表[10]和微处理机[12]的输入端相连接。
2、如权利要求1所述的中子水分仪，其特征是中子源［21］和闪烁体［17］之间的距离为6至10厘米，中子源［21］紧挨着γ射线源［19］，在放射源［19，21］和闪烁体［17］之间填充铅。
3、如权利要求1或2所述的中子水分仪，其特征是中子源［21］是100毫居的镅－铍源，γ射线源是30毫居的 Cs源，闪烁体［17］的厚度不小于4毫米。
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