[其他]场效应器件音频功率放大器无效
申请号: | 87205606 | 申请日: | 1987-03-26 |
公开(公告)号: | CN87205606U | 公开(公告)日: | 1988-05-04 |
发明(设计)人: | 郭志忠;金姬龙;邓维忠 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军重庆通信学院 |
主分类号: | H03F3/26 | 分类号: | H03F3/26 |
代理公司: | 重庆市专利事务所 | 代理人: | 陈志生 |
地址: | 四川省重庆*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 器件 音频 功率放大器 | ||
本实用新型用于制造大功率音频放大装置,特别是用于有线广播的大功率扩音设备。
公知的音频功率放大器有电子管式、晶体管式、电子管与晶体管混合式。电子管式和电子管与晶体管混合式音频功率放大器主放级均采用电子管作功率器件,因而体积大、耗能高、效率低基本上被淘汰;晶体管式音频功率放大器仅管体积小,由于功率晶体管的二次击穿问题难以解决,使晶体管音频功率放大器在大功率输出使用时可靠性低、故障率高,而且双极型晶体管输入阻抗低需要较大的驱动功率,使其效率低,因而不适用于大功率音频功率放大,多设计成小于100W的音频功率放大器。随着VMOS场效应器件的出现,VMOS场效应器件作功率器件不存在二次击穿问题,可靠性高、输入阻抗高。在WPIACC NO:81-M0030D/47中记载的具有推挽输出级的音频功率放大器,输入端采用A/D变换器,通过D/A变换器、脉冲宽度调制器,经脉冲放大级反相器控制D类推挽输出级,D类推挽输出级由VMOS场效应器件构成,用类似于电流源接法使其工作于饱和区外,由于功率放大器工作于开关状态,开关放大时产生强烈干扰,不适宜于大功率有线广播设备。
本实用新型的目的在于设计一种采用VMOS场效应器件的音频功率放大器,在大功率工作时没有强烈的干扰,适用于150~300W大功率输出的有线广播扩音设备。
本实用新型由前置放大级1、主放大级3组成,其特征在于由晶体管T1、T2差动放大器及T8、T4射极跟随器构成频率均衡倒相放大器组成前置放大级1,主放大级3为每边由1~5组VMOS场效应器件T5或T6,栅极电路由稳压二极管D7、D8稳压供电工作于AB类的推挽输出功率放大器,有由对称电容器、压敏电阻、热敏电阻、触发二极管及TVP器件并联,一端接于前置放大级1输出端与主放大级3输入端的连接点,一端接地的保护与抗冲击网络2。
根据本实用新型设计的场效应器件音频功率放大器,解决了晶体管器件工作于大功率时二次击穿问题工作可靠性高,在大功率工作状态下没有干扰,成本低,频率响应好,效率高,定压输出和抗加电冲击的优点,输出功率可达250~300W,适宜于在大功率扩音设备中应用。
本实用新型有如下附图:
图1:场效应器件音频功率放大器的方框图。
图2:场效应器件音频功率放大器的电路原理图。
其中,1为前置放大级,2为保护与抗冲击网络,3为主放大级。
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